西安交通大学张伟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利基于锑碲化合物的低损耗异相同质结半导体材料及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210149473.2，技术领域涉及：H10D62/40；该发明授权基于锑碲化合物的低损耗异相同质结半导体材料及其制备和应用是由张伟;王晓哲;张航铭;王旭东;王疆靖设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于锑碲化合物的低损耗异相同质结半导体材料及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了基于锑碲化合物的低损耗异相同质结半导体材料及其制备和应用，通过采用高能粒子束辐照稳定态六角相Sb2Te3晶体样品，使其体相内部转变为立方相，同时保持样品表面至内部10nm的区域为六角相结构不变，由稳定态六角相Sb2Te3体相内部结构转变为立方相，体相内部的安德森绝缘性质使得电荷发生安德森局域化，将其转变为绝缘态。本发明利用高能粒子束辐照拓扑绝缘体六角相Sb2Te3晶体体相内部转变为立方相，在体相中形成电荷安德森局域化，将体相转变为绝缘态，并保持表面至内部10nm范围内的六角相拓扑绝缘性质，能够抑制体相内部的电输运性能，驱使电流仅经过表面，从而降低了输运损耗，实现超低功耗输运。
本发明授权基于锑碲化合物的低损耗异相同质结半导体材料及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于锑碲化合物低损耗异相同质结半导体材料的制备方法，其特征在于，通过采用高能粒子束辐照稳定态六角相Sb2Te3晶体样品的体相内部，使体相内部转变为立方相，同时保持样品表面至内部10nm的区域为六角相结构不变，体相内部的安德森绝缘性质使得电荷发生安德森局域化，将体相内部转变为绝缘态； 所述表面至内部10nm区域的六角相结构呈现拓扑绝缘体性质，体相内部的立方相结构呈现安德森绝缘体性质，两种相结构直接相连并构成异相同质结构； 所述高能粒子束选自高能电子束、脉冲激光束、氩离子束其中一种； 所述高能电子束的加速电压为500-1000KeV，辐照强度不小于1×1024em-2s-1； 所述脉冲激光束的激光波长范围为532-785nm，功率不低于5mW，脉宽不超过10s； 所述氩离子束的加速电压为不低于30KeV，辐照强度不低于1×1010ionscm-2。
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