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龙图腾网获悉上海音特电子有限公司申请的专利一种半导体芯片环氧树脂封装纳米级缝隙的管控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210147127.0，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种半导体芯片环氧树脂封装纳米级缝隙的管控方法是由肖南海;李进;张伟伟;杨斌;杨熊辉;洪海霞设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体芯片环氧树脂封装纳米级缝隙的管控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体芯片环氧树脂封装纳米级缝隙的管控方法，涉及半导体封装技术领域。本发明包括：S1、将晶圆从真空包装取出后进行划片处理，等离子清洗机清洗，进行打引线焊线；S2、焊线完成后进行注塑；S3、纳米级缝隙的生长膜方法；S4、确认生长致密膜；S5、使用150℃烘烤55‑65分钟，确保内部水汽正常清除；S6、正常安排激光去溢胶和电镀工序，电镀完成表面除水正常烘烤；S7、切筋后，安排电气特征参数测试，漏电流IR、正向压降VF、VB雪崩电压。本发明解决了特小型封装因为塑封料颗料和注塑设备压力不够，导致产品可靠性问题，有利于提升工业设备的高品质小型化的问题，降低了器件问题对系统的影响。

本发明授权一种半导体芯片环氧树脂封装纳米级缝隙的管控方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片环氧树脂封装纳米级缝隙的管控方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将晶圆从真空包装取出后进行划片处理，经过固定芯片，芯片固定在框架或基岛上，然后经过等离子清洗机清洗，清除残留光刻胶和焊接区的脏污物质；使焊接体表面的可焊性提高，进行打引线焊线； 芯片在固定芯片完成后，使用等离子清洗机清除残胶光刻胶和划片过程残留的硅粉颗粒，清洗到打引线流程不超过30分钟，以防止氧化，等离子清洗机清洗不超过二次； S2、焊线完成后进行注塑，根据塑封材料的特性完成固化工序，固化完成进行致密性测试，使用超声波扫描仪扫描塑封体内部，确认是否有分层问题； 塑封料的注塑是否良好，按照AQL品质抽样水平，使用超声波扫描仪进行扫描，确保没有分层现象，确保符合联合工业国际标准JEDECJSTD020D，没有异常； S3、生长纳米级缝隙的膜：在环氧树脂灌封料中添加的填充剂包括二氧化硅、氧化铝、氢氧化铝、氢氧化镁材料，膜利用氢氧化铝的材料特性，AlOH3加热到245±5℃，35-50S，内部会形成Al2O3和H2O；塑封体内部释放出来小量水分子，在120分钟内加上电场，使用半导体芯片器件持续工作电压1.3倍的电压，电化学Al2O3和二氧化硅将生成一层保护膜； S4、确认生长致密膜：首先利用芯片金相切割CP设备，无损将器件解剖开，产品的芯片四个角部位使用FIB聚焦离子显微切割仪器；观察确保内部生成保护膜； 观察确保内部生成保护膜，具体使用双球差校正透射电子显微镜，利用高性能的透射电子显微镜可以在原子尺度范围内探测物质的结构和化学成分，根据美国材料实验协会出版了的ASTM卡片，参照PDF材料卡片，核对物质的结构和化学成分的正确性； S5、使用150℃烘烤55-65分钟，确保控制最高温度不超过156℃，低于塑封料的固化温度，让塑封体内的水气全体烤干净，确保内部水汽正常清除； S6、正常安排激光去溢胶和电镀工序，电镀完成表面除水正常烘烤； S7、切筋，然后安排电气特征参数测试，漏电流、正向压降、雪崩电压，所有参数指标应用一致性正态分布管控； 使用的所述塑封材料中添加有阻燃材料氢氧化铝，为一种无机物，利用其235℃的吸热峰特性，受热分解成Al2O3和H2O，在器件两端施加一个4±0.2V电场，经过电化学，吸热峰分解出来的Al2O3与芯片表面的纯化层二氧化硅或塑封料的二氧化硅，将会析出纳米级一层膜。

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