HOYA株式会社宍户博明获国家专利权
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龙图腾网获悉HOYA株式会社申请的专利掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114609856B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210271059.9，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法是由宍户博明设计研发完成，并于2017-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：掩模坯料100在透光性基板1上具备遮光膜2，其特征在于，遮光膜为由含有硅和氮的材料形成的单层膜，对ArF准分子激光的曝光光的折射率为1.6以上且2.1以下，消光系数为1.6以上且2.1以下，对900nm波长的光的消光系数为0.04以上，厚度为40nm以上且60nm以下。
本发明授权掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模坯料，在透光性基板上具备遮光膜，其特征在于， 所述遮光膜为由含有硅和氮的材料形成的单层膜， 所述遮光膜对ArF准分子激光的曝光光的折射率n为1.6以上且2.1以下， 所述遮光膜对所述曝光光的消光系数k为1.6以上且2.1以下， 所述遮光膜对900nm波长的光的消光系数k为0.04以上， 所述遮光膜的厚度为40nm以上且60nm以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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