绍兴中芯集成电路制造股份有限公司周旭获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206791B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210797573.6，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体结构及其制备方法是由周旭;眭小超设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请具体涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底的上表面形成有第一材料层，第一材料层内具有开口，开口暴露出衬底的上表面；于开口相对的侧壁表面形成侧墙，侧墙裸露的表面为弧形面；形成第二材料层，第二材料层至少覆盖第一材料层的上表面，并填满开口；去除位于第一材料层的上表面及开口内的第二材料层。本申请先在开口的侧壁形成裸露的表面为弧形面的侧墙，侧墙坡度较缓，在开口内形成第二材料层时，第二材料层在侧墙上的坡度也较缓，再进行刻蚀去除开口内的第二材料层时，很容易完全去除开口内的第二材料层，从而避免开口底部第二材料层的残留，进而确保器件的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底的上表面形成有第一材料层，所述第一材料层内具有开口，所述开口暴露出所述衬底的上表面； 形成第一硬掩膜材料层，所述第一硬掩膜材料层覆盖所述第一材料层的上表面，并填满所述开口； 对所述第一硬掩膜材料层进行减薄处理，以得到第一硬掩膜层，所述第一硬掩膜层覆盖所述第一材料层的上表面，并填满所述开口； 于所述第一硬掩膜层的表面形成第二硬掩膜层； 刻蚀所述第二硬掩膜层及所述第一硬掩膜层，以于所述开口相对的侧壁表面形成侧墙，所述侧墙裸露的表面为弧形面； 形成第二材料层，所述第二材料层至少覆盖所述第一材料层的上表面，并填满所述开口； 去除位于所述第一材料层的上表面及所述开口内的所述第二材料层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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