发明与合作实验室有限公司卢超群获国家专利权
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龙图腾网获悉发明与合作实验室有限公司申请的专利互补式金氧半导体场效晶体管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206968B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210349966.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权互补式金氧半导体场效晶体管结构是由卢超群设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本互补式金氧半导体场效晶体管结构在说明书摘要公布了：本发明提供新颖的互补式金氧半导体场效晶体管MOSFET结构，其具有硅基板中的局部隔离区以降低漏电流与避免闩锁。互补式MOSFET结构包含具有半导体表面的半导体晶圆基板、包含第一导电区的P型MOSFET、包含第二导电区的N型MOSFET、以及在P型MOSFET和N型MOSFET之间的十字形局部隔离区。其中，十字形局部隔离区包含半导体表面下方的水平延伸隔离区，且水平延伸隔离区接触第一导电区的底侧和第二导电区的底侧。
本发明授权互补式金氧半导体场效晶体管结构在权利要求书中公布了：1.一种互补式金氧半导体场效晶体管结构，其特征在于，包含： 一半导体晶圆基板，具有一半导体表面； 一P型金氧半导体场效晶体管，包含一第一导电区，该第一导电区包含一轻度掺杂半导体区、一重度掺杂半导体区和一含金属区，且三者水平连接，其中所述重度掺杂半导体区接触所述轻度掺杂半导体区的最外侧边，且所述含金属区接触所述重度掺杂半导体区的最外侧边； 一N型金氧半导体场效晶体管，包含一第二导电区；以及 一十字形局部隔离区，介于该P型金氧半导体场效晶体管与该N型金氧半导体场效晶体管之间，其中，该十字形局部隔离区包含在该半导体表面下方的一水平延伸隔离区，且该水平延伸隔离区接触该第一导电区的一底侧和该第二导电区的一底侧。
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