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龙图腾网获悉江苏长电科技股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119694893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510158929.5，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由应战设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体封装结构及其形成方法，形成方法包括：提供玻璃基板，玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互连结构，玻璃基板的中还具有位于上表面的凹槽；提供未内部布线的半导体芯片，包括半导体衬底和位于半导体衬底上表面的器件层，器件层中具有半导体器件；将未内部布线的半导体芯片贴装进凹槽中；在玻璃基板的上表面形成无机介质层和位于无机介质层中的第一互连结构和第二互连结构，第一互连结构与玻璃通孔互连结构的上端表面电连接，第二互连结构与半导体器件电连接，未内部布线的半导体芯片、第二互连结构和部分无机介质层构成第一半导体芯片；在玻璃基板下表面形成有机钝化层和位于有机钝化层中的第三互连结构。提高了封装结构的性能。

本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供玻璃基板，所述玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互连结构，所述玻璃基板的上表面和下表面分别露出所述玻璃通孔互连结构的上端表面和下端表面，所述玻璃基板的中还具有凹槽，所述凹槽位于所述玻璃基板的上表面； 提供未内部布线的半导体芯片，所述未内部布线的半导体芯片包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上表面的器件层，所述器件层中具有半导体器件； 将所述未内部布线的半导体芯片贴装进所述凹槽中，所述未内部布线的半导体芯片的器件层的上表面与所述玻璃基板的上表面齐平； 在所述玻璃基板的上表面以及所述未内部布线的半导体芯片的器件层的上表面形成无机介质层和位于所述无机介质层中的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构与所述玻璃通孔互连结构的上端表面电连接，所述第二互连结构与所述未内部布线的半导体芯片中的半导体器件电连接，且部分所述第二互连结构还与部分所述第一互连结构电连接，所述未内部布线的半导体芯片、所述第二互连结构和部分所述无机介质层构成第一半导体芯片； 在所述玻璃基板下表面形成有机钝化层和位于所述有机钝化层中的第三互连结构，所述第三互连结构与所述玻璃通孔互连结构的下端表面电连接； 在所述无机介质层的上表面贴装至少一个第二半导体芯片，所述第二半导体芯片与所述第一互连结构电连接。

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