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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利一种高线性度宽带无源混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119696518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411764972.8，技术领域涉及：H03D7/14；该发明授权一种高线性度宽带无源混频器是由郭本青;唐浚钧;王海时设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高线性度宽带无源混频器在说明书摘要公布了：本发明一种高线性度宽带无源混频器，包括：RF阻抗匹配网络、IF阻抗匹配网络、LO预驱动器、堆叠式LO驱动器、开关核心；射频信号从P3、P4端口进来，进入RF阻抗匹配网络经X、Y端口的传递，传递到A、B端口进入开关核心，最后传递到E、F端口进入IF阻抗匹配网络；本振信号从P1、P2端口进入，进入LO预驱动器经H、Z端口的传递，经过双路堆叠式LO驱动器进入开关核心，并经E、F端口到IF阻抗匹配网络，最后经P5、P6端口输出IF信号。本发明实现了工作频率范围在7GHz至20GHz，RF阻抗匹配网络采用混合耦合结构，IF阻抗匹配网络采用低通四阶LC结构，配合LO预驱动器、堆叠式LO驱动器级联实现了IF信号的超高线性度、低功耗、超宽带性能。

本发明授权一种高线性度宽带无源混频器在权利要求书中公布了：1.一种高线性度宽带无源混频器，其特征在于，包括：RF阻抗匹配网络、IF阻抗匹配网络、LO预驱动器、堆叠式LO驱动器、开关核心； 所述RF阻抗匹配网络两侧设置端口P3、P4和端口A、B；所述RF阻抗匹配网络包括：电容Cm、电容Cs、电容Ca、电感Lp、电感Ls、电感Ld、电感La； 所述IF阻抗匹配网络两侧设置端口P5、P6和端口E、F；所述IF阻抗匹配网络包括：电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4； 所述开关核心两侧设置端口A、B和端口C、D；所述开关核心包括开关S1、S2、S3、和S4，开关结构相同；所述开关结构包括：NMOS管Ms1、NMOS管Ms2、电容Cc、电容Cd、电阻Rg、电阻Rn； 所述LO预驱动器两侧设置端口P1、P2和端口H、Z；所述LO预驱动器包括上下链路LO预驱动器，上下链路LO预驱动器结构相同；所述LO预驱动器包括：PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、电容Cb、电感Lg、电阻Rd； 所述堆叠式LO驱动器设置端口G、S；所述堆叠式LO驱动器包括上下链路堆叠式LO驱动器，堆叠式LO驱动器结构相同；所述堆叠式LO驱动器包括：PMOS管Mp1、PMOS管Mp2、PMOS管Mp3、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、NMOS管Mn3、电容Cp1、电容Cp2、电容Cp3、电容Cn1、电容Cn2、电容Cn3； 所述RF阻抗匹配网络中端口X与开关核心的A端连接，所述RF阻抗匹配网络中的Y端与开关核心的B端连接； 所述开关核心的C端与IF阻抗匹配网络的E端连接，所述开关核心的D端与IF阻抗匹配网络的F端连接，所述IF阻抗匹配网络的P5、P6端口输出IF信号； 所述LO预驱动器的P1、P2端接收本振信号，所述LO预驱动器的H端与堆叠式LO驱动器的G端连接，所述LO预驱动器的Z端与堆叠式LO驱动器的S端连接，所述堆叠式LO驱动器的输出本振信号并与开关核心S1～4的输入端连接； 所述RF阻抗匹配网络中端口P3、P4接收射频输入信号，射频信号从P3、P4端口进入RF阻抗匹配网络，经过XY端口转换输出两路信号；所述一路信号经过A端口通过开关S1与另一路信号经过B端口通过开关S3接至端口C，最终在端口E合并，一路信号经过A端口通过开关S2与另一路信号经过B端口通过开关S4接至端口D，最终在端口F合并，两路信号经EF端口进入IF阻抗匹配网络，最后经P5、P6端口输出IF信号； 所述本振信号经端口P1、P2进入，分为两路信号进入上下链路LO预驱动器到H、Z端口，然后两路信号分别经端口G、S进入上下链路堆叠式LO驱动器，得到本振信号，并进入开关核心中的开关S1～4中作为本振信号输入。

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