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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低开启电压氧化镓功率二极管及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411785516.1，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种低开启电压氧化镓功率二极管及制作方法是由何云龙;陆小力;马晓华;郑雪峰;郝跃设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低开启电压氧化镓功率二极管及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低开启电压氧化镓功率二极管，主要解决现有氧化镓功率二极管开启电压高，击穿电压低的问题。其自下而上包括阴极4、衬底1、β‑Ga2O3漂移层2、阳极5，其特征在于：该β‑Ga2O3漂移层与阳极之间设有外圆环与内圆形相套组成的铁电材料PZT介质层3，以当PZT上方施加正电压时会在阳极界面处产生正电荷，吸引电子积聚降低开启电压；当PZT上方施加负电压时会在阳极界面处产生负电荷形成高阻区，提升器件的击穿电压。该铁电材料PZT介质层3，是通过脉冲激光沉积、光刻及干法刻蚀而成的铁电材料PZT场环。本发明能有效的降低器件的开启电压，提升器件的击穿电压，可用于电力电子系统的整流器和直流转换器。

本发明授权一种低开启电压氧化镓功率二极管及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低开启电压氧化镓功率二极管制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 1在重Sn掺杂001晶向的β-Ga2O3衬底1上，利用HVPE或者MOCVD工艺，生长一层厚度为2μm~20μm、掺杂浓度为1×1015cm-3~1×1017cm-3的轻掺杂β-Ga2O3漂移层2，且该漂移层2的上表面为平面； 2制作铁电材料PZT介质层3： 2a利用脉冲激光沉积PLD技术，在氧气氛围的腔体中，在样品正表面沉积一层厚度为50nm~150nm的铁电材料PZT； 2b通过光刻及干法刻蚀选择性对PZT层进行去除，以在轻掺杂β-Ga2O3漂移层2上方留下半径为5~15μm的内圆形及内径为30~50μm、外径为55~65μm的外圆环，形成铁电材料PZT介质层3； 3在重Sn掺杂001晶向的β-Ga2O3衬底1的底部利用E-beam蒸发工艺沉积TiAu金属叠层，并通过退火形成阴极，再在β-Ga2O3漂移层2上部及铁电材料PZT介质层3的上部利用E-beam蒸发工艺沉积NiAu叠层作为阳极，完成器件制作，当PZT上方施加正电压时会在阳极界面处产生正电荷，吸引电子积聚降低开启电压，当PZT上方施加负电压时会在阳极界面处产生负电荷形成高阻区，提升器件的击穿电压。

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