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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种光电倍增型探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411646859.X，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种光电倍增型探测器及制备方法是由张志鹏;莫敦涵;陈军;邓少芝;许宁生设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电倍增型探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电探测器领域，更具体地，涉及一种光电倍增型探测器及制备方法，本发明包括阳极基板、阴极基板和隔离体，所述阳极基板和阴极基板平行相对设置，所述阳极基板和阴极基板的表面均设置有光电导层，所述光电导层之间为真空状态，所述光电导层均为尖锥结构，本发明利用电子在真空中输运无散射特性实现高能电子与光电导体的碰撞电离和光电倍增效应，另一方面利用纳米尖锥结构光电导层调控电场分布和比表面积，提高电子输运效率和电荷收集效率，从而实现大面积、高灵敏度、低暗电流、快速响应和长寿命的光电探测器。

本发明授权一种光电倍增型探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电倍增型探测器，其特征在于，包括阳极基板10、阴极基板11和隔离体3，所述阳极基板10和阴极基板11平行相对设置，所述阳极基板10和阴极基板11的表面均设置有光电导层，所述阳极基板10和阴极基板11通过所述隔离体3固定连接，所述光电导层之间为真空状态，所述光电导层均为尖锥结构；其中，所述光电导层包括多个纳米尖锥结构的半导体和设置在半导体上的光电导体薄膜，具体的，所述光电导层包括，设置于阳极基板10的第一光电导层和设置于阴极基板11的第二光电导层，所述第一光电导层包括多个纳米尖锥结构的第一半导体6和设置在第一半导体6上的光电导体薄膜7，第二光电导层包括多个纳米尖锥结构的第二半导体9和设置在第二半导体9的第二光电导体薄膜8； 所述阳极基板10包括阳极衬底1和阳极电极2，所述阳极衬底1上设置有阳极电极2，所述阳极电极2表面设置有所述第一光电导层；其中，所述第一光电导层包括：纳米尖锥结构的P型半导体和设置在P型半导体表面的N型光电导体薄膜或纳米尖锥结构的N型半导体和设置在N型半导体表面的P型光电导体薄膜； 所述阴极基板11包括阴极衬底5和阴极电极4，所述阴极衬底5上设置有阴极电极4，所述阴极电极4表面设置有所述第二光电导层；其中，所述第二光电导层包括：纳米尖锥结构的N型半导体和设置在N型半导体表面的P型光电导体薄膜或纳米尖锥结构的P型半导体和设置在P型半导体表面的N型光电导体薄膜。

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