北京石墨烯研究院;北京大学刘忠范获国家专利权
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龙图腾网获悉北京石墨烯研究院;北京大学申请的专利一种微米级厚石墨膜及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119750565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411958336.9，技术领域涉及：C01B32/205；该发明授权一种微米级厚石墨膜及其生长方法是由刘忠范;孙禄钊;刘海洋;王真;常佳宇;周顷禹设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微米级厚石墨膜及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种微米级厚石墨膜及其生长方法。将含碳量高的物质分散于有机溶剂中涂覆于金属箔上，干燥后得到碳膜金属箔；或将含碳量高的物质制成薄片后放置在金属箔上，得到碳膜金属箔；在保护性气氛中，对样品施加电流，利用电流焦耳热效应对所述碳膜金属箔进行加热，停止通电，在金属箔表面得到微米级厚石墨膜。本发明利用金属衬底在高温‑低温的变温过程中对碳的溶解‑析出制备石墨膜，由于金属衬底对石墨晶格存在外延关系，因此能直接析出AB堆垛的石墨薄膜，从而在更低的温度下实现碳的石墨化；利用电流的焦耳热特性对反应体系进行辐射加热，有效提高了加热效率，实现了在数秒内从室温提升至生长温度，减少副反应带来的影响，提高原料利用率。
本发明授权一种微米级厚石墨膜及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种微米级厚石墨膜的生长方法，包括以下步骤： 1制备碳膜金属箔 将含碳量高的物质分散于有机溶剂中涂覆于金属箔上，干燥后得到碳膜金属箔；或将含碳量高的物质制成薄片后放置在金属箔上，得到碳膜金属箔； 2制备石墨膜 在保护性气氛中，对样品施加电流，利用焦耳热效应对所述碳膜金属箔进行加热一定时间，停止通电，在金属箔表面得到微米级厚石墨膜； 在步骤2中停止通电，冷却后重复通电加热-断电冷却进行循环生长，每次通电时间范围为1s-1h。
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