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龙图腾网获悉上海芯钛信息科技有限公司申请的专利使用FLASH模拟EEPROM的数据存储系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119759286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411913072.5，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权使用FLASH模拟EEPROM的数据存储系统和方法是由徐蔚中;冯华;刘功哲;陈洁;熊民权;马华设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用FLASH模拟EEPROM的数据存储系统和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及使用FLASH模拟EEPROM的数据存储系统和方法，通过基于现有的同类FLASH模拟EEPROM硬件实现方法进行深度改进，利用FLASH和SRAM等存储器件设计实现模拟EEPROM功能的数字电路控制器，使用硬件方法实现模拟EEPROM功能，并且通过改良的数据存储结构和更精细的数字电路控制方法，如引入状态信息，采用“乒乓操作”管理交替执行内部的备份转移操作与对应于外部主机的写操作，并设计了“后台回收”管理机制对模拟EEPROM数据块进行后台回收，同时引入异常管理机制进行诊断和异常管理，大幅减少了使用FLASH模拟EEPROM的硬件实现性能损失，并有效提高了存储资源的利用率。

本发明授权使用FLASH模拟EEPROM的数据存储系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种使用FLASH模拟EEPROM的数据存储系统，其特征在于，包括模拟EEPROM控制器、SRAM和FLASH存储体； 所述FLASH存储体中的各模拟EEPROM数据块的容量大于目标模拟EEPROM容量，每一所述模拟EEPROM数据块的数据结构包括第一类地址位和第二类地址位，所述第一类地址位用于存储所述模拟EEPROM数据块的状态信息，包括擦除状态标志位、备份状态标志位、写入状态标志位和转移状态标志位，所述第二类地址位用于存储模拟EEPROM数据、模拟EEPROM数据地址以及数据有效状态； 所述模拟EEPROM控制器在当前FLASH存储体中的模拟EEPROM数据块数据空间写满且下一个模拟EEPROM数据块备份转移操作未完成的情况下，在无外部主机发起的模拟EEPROM写操作请求时执行将模拟EEPROM数据连续地由SRAM中逐一地址读出后写入所述FLASH存储体中空的模拟EEPROM数据块的存储空间内的备份转移操作，在有外部主机发起的模拟EEPROM写操作请求时，对外部主机发起的模拟EEPROM写操作请求对应的写操作与所述备份转移操作交替执行； 所述模拟EEPROM控制器还用于对所述FLASH存储体中均已经被写满，并且未参与模拟EEPROM数据写入或备份转移操作的模拟EEPROM数据块进行后台回收，所述模拟EEPROM控制器在系统上电初始化阶段从模拟EEPROM数据块中恢复模拟EEPROM数据至SRAM的过程中根据模拟EEPROM数据块的状态信息和备份的模拟EEPROM数据进行诊断和异常管理。

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