普冉半导体(上海)股份有限公司沈杨获国家专利权
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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利降低小型存储芯片漏电的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119763646B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411832065.2，技术领域涉及：G11C29/44；该发明授权降低小型存储芯片漏电的方法是由沈杨;郭兵设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低小型存储芯片漏电的方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种降低小型存储芯片漏电的方法，属于半导体芯片技术领域。该方法包括：获取待检测芯片对应的当前漏电数据、原始漏电数据以及功能测试数据；根据原始漏电数据、当前漏电数据、预先建立的漏电分析模型以及功能测试数据，确定待检测芯片的漏电点位是否为多晶硅间距；若是，则根据待检测芯片的剖面测量结果，确定待检测芯片中的金属硅化物的当前生长区间是否超出标定生长区间；若是，则对待检测芯片的控制管上原生的第一道氮化硅之外增长的第二道氮化硅进行侧壁加厚，并调整第二道氮化硅的刻蚀量，并对待检测芯片的调整结果进行流片验证，以得到目标调整结果。本申请可以达到抑制存储芯片中两根多晶硅之间普长的金属硅化物侧穿的效果。
本发明授权降低小型存储芯片漏电的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低小型存储芯片漏电的方法，其特征在于，所述方法包括： 获取待检测芯片对应的当前漏电数据、原始漏电数据以及功能测试数据，所述原始漏电数据是指缩小面积前的待检测芯片的漏电数据； 根据所述原始漏电数据、所述当前漏电数据、预先建立的漏电分析模型以及所述功能测试数据，确定所述待检测芯片的漏电点位是否为多晶硅间距； 若是，则根据所述待检测芯片的剖面测量结果，确定所述待检测芯片中的金属硅化物的当前生长区间是否超出标定生长区间； 若是，则对所述待检测芯片的控制管上原生的第一道氮化硅之外增长的第二道氮化硅进行侧壁加厚，并调整所述第二道氮化硅的刻蚀量，以得到目标调整结果，所述目标调整结果包括：氮化硅厚度参数和氮化硅刻蚀量参数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人普冉半导体(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201000 上海市浦东新区申江路5005弄1号9层整层(实际楼层8楼)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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