珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司蔡红卫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411929173.1，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体结构及其制作方法是由蔡红卫;马万里;肖帅;闫正坤;谭键文设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧表面上；元胞结构，包括多个有源区和栅极，多个有源区在外延层中间隔排布，有源区包括邻接的注入区和基区、以及位于基区中的源区，源区与注入区接触，有源区靠近另一有源区的侧面为基区的侧面，栅极包括公共部和多个分裂栅，公共部和多个分裂栅位于外延层远离衬底的一侧，多个分裂栅围绕公共部且均与公共部连接，一分裂栅在外延层的正投影覆盖一基区远离衬底的部分表面，基区与注入区的掺杂类型为第一掺杂类型，源区、外延层和衬底的掺杂类型为第二掺杂类型。本申请解决了现有技术中平面分裂栅型半导体结构的可靠性较差的问题。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的一侧表面上； 元胞结构，包括多个有源区和栅极，多个所述有源区在所述外延层中间隔排布，所述有源区包括邻接的注入区和基区、以及位于所述基区中的源区，所述源区与所述注入区接触，所述有源区靠近另一所述有源区的侧面为所述基区的侧面，所述栅极包括公共部和多个分裂栅，所述公共部和多个所述分裂栅位于所述外延层远离所述衬底的一侧，多个所述分裂栅围绕所述公共部且均与所述公共部连接，一所述分裂栅在所述外延层的正投影覆盖一所述基区远离所述衬底的部分表面，所述基区与所述注入区的掺杂类型为第一掺杂类型，所述源区、所述外延层和所述衬底的掺杂类型为第二掺杂类型。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励