北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)冯源获国家专利权
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龙图腾网获悉北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)申请的专利一种二维平面阵列多通道周期永磁聚焦系统及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811959B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510018009.3，技术领域涉及：H01J23/087；该发明授权一种二维平面阵列多通道周期永磁聚焦系统及其设计方法是由冯源;宋博文;周一杰;鲜思吉;杜馨竹设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维平面阵列多通道周期永磁聚焦系统及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种二维平面阵列多通道周期永磁聚焦系统及其设计方法，该周期永磁聚焦系统包括沿第一方向间隔设置的极靴和磁组；所述极靴和磁组沿第一方向周期性交替排列形成多个周期性永磁结构；所述磁组包括若干沿第二方向间隔排列的磁钢；所述磁钢沿第三方向延伸设置；所述极靴上形成有呈阵列排布的若干通孔，所述通孔用以装配慢波结构；若干通孔构成通孔单元，所述通孔单元包括沿第二方向排列的横向通孔单元，以及沿第三方向排列的纵向通孔单元；所述横向通孔单元位于沿第二方向排列的相邻两磁钢之间。在一套磁聚集系统中实现多个放大通道集成，减小放大通道之间的距离，提高单元密度且不会影响磁聚焦系统对电子注的聚焦性能。
本发明授权一种二维平面阵列多通道周期永磁聚焦系统及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种二维平面阵列多通道周期永磁聚焦系统，其特征在于，包括：沿第一方向间隔设置的极靴和磁组；所述极靴和磁组沿第一方向周期性交替排列形成多个周期性永磁结构； 所述磁组包括若干沿第二方向间隔排列的磁钢；所述磁钢沿第三方向延伸设置； 所述极靴上形成有呈阵列排布的若干通孔，所述通孔用以装配慢波结构；若干通孔构成通孔单元，所述通孔单元包括沿第二方向排列的横向通孔单元，以及沿第三方向排列的纵向通孔单元；所述横向通孔单元位于沿第二方向排列的相邻两磁钢之间； 第一方向与第二方向和第三方向均垂直，第二方向与第三方向相垂直； 所述磁组包括至少三个磁钢，沿第二方向位于磁组两端的两块磁钢为外磁钢，位于两块外磁钢之间的磁钢为内磁钢；所述外磁钢位于通孔单元的外侧，所述内磁钢位于相邻两横向通孔单元之间。
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