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龙图腾网获悉深圳技术大学申请的专利一种剩余硅厚度的测量方法、系统、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411864909.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种剩余硅厚度的测量方法、系统、装置及存储介质是由陈庚亮;桂人杰;钟宇;谢颂华;李浩正设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种剩余硅厚度的测量方法、系统、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种剩余硅厚度的测量方法、系统、装置及存储介质，通过改变物镜与样品之间的距离，获取采样图像集，对采样图像集进行清晰度评价，基于清晰度评价值数据集，利用预设条件进行筛选得到对应清晰图像；最后根据清晰图像、清晰图像对应的物镜位置以及预设算法计算，可以快速得到高精度的剩余硅厚度测量结果。同时，利用自制的粗糙表面硅片及其成像对应的物镜位置，能够测量出光滑表面晶圆表面对应的物镜位置，实现测量光滑表面晶圆的剩余硅厚度，进一步提高了对晶圆的剩余硅厚度测量的精度。

本发明授权一种剩余硅厚度的测量方法、系统、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种剩余硅厚度的测量方法，其特征在于，包括： 改变物镜与样品之间的距离，获取采样图像集；所述采样图像集由光线依次通过物镜、粗糙表面硅片后会聚到所述样品上，经所述样品反射后，依次通过所述粗糙表面硅片、所述物镜和成像透镜形成；所述样品包括存在若干个柱形孔的光滑表面晶圆； 确定所述采样图像集中若干个清晰度满足预设条件的清晰图像以及若干个所述清晰图像对应的物镜位置； 基于若干个所述清晰图像、若干个所述清晰图像对应的物镜位置和预设算法，计算得到所述样品的剩余硅厚度； 所述确定所述采样图像集中若干个清晰度满足预设条件的清晰图像以及若干个所述清晰图像对应的物镜位置，包括： 基于所述采样图像集和清晰度评价函数，计算得到清晰度评价值数据集； 基于所述清晰度评价值数据集和预设条件，确定若干个清晰度满足预设条件的清晰图像；若干个所述清晰度满足预设条件的清晰图像包括所述光滑表面晶圆的柱形孔底部的清晰图像、所述粗糙表面硅片实物的清晰图像和所述粗糙表面硅片反射虚像的清晰图像； 基于若干个所述清晰图像，获取对应的物镜位置； 所述基于若干个所述清晰图像、若干个所述清晰图像对应的物镜位置和预设算法，计算得到所述样品的剩余硅厚度，包括： 获取所述粗糙表面硅片的厚度值； 基于所述光滑表面晶圆的柱形孔底部的清晰图像对应的物镜位置、所述粗糙表面硅片实物的清晰图像对应的物镜位置、所述粗糙表面硅片反射虚像的清晰图像对应的物镜位置、所述厚度值和预设算法，计算得到所述样品的剩余硅厚度； 所述预设算法包括： 其中，Hrst为所述样品的剩余硅厚度，h1为所述粗糙表面硅片实物的清晰图像对应的物镜位置，h2为所述粗糙表面硅片反射虚像的清晰图像对应的物镜位置，d为所述厚度值，ht为光滑表面晶圆的柱形孔底部的清晰图像对应的物镜位置。

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