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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利半导体发光元件及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119816017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411822594.4，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权半导体发光元件及发光装置是由荆琪;包志豪;朱秀山;李俊贤;凃如钦;张中英设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体发光元件及发光装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体发光元件及发光装置，半导体发光元件包括：发光外延层、第一绝缘层、接触电极、第二绝缘层、第一焊盘电极、第二焊盘电极以及第一缓冲部；发光外延层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一绝缘层具有第一开口和第二开口；接触电极包括第一接触电极、第二接触电极；第一接触电极沿第二方向延伸形成第一凸出部；第一焊盘电极与第一导电类型半导体层电连接；第二焊盘电极与第二导电类型半导体层电连接；在发光外延层堆叠方向上，第一缓冲部的投影与第一凸出部重叠；且在第一方向上，第二焊盘电极的投影和第一凸出部的投影、第一缓冲部的投影具有重叠部分；第一方向和第二方向垂直。

本发明授权半导体发光元件及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括： 发光外延层，所述发光外延层包括依次堆叠的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层； 第一绝缘层，位于所述发光外延层上，所述第一绝缘层具有第一开口和第二开口； 接触电极，设置在所述第一绝缘层上，所述接触电极包括第一接触电极、第二接触电极，所述第一接触电极与所述第二接触电极电绝缘；所述第一接触电极通过所述第一开口与所述第一导电类型半导体层电连接；所述第二接触电极通过所述第二开口与所述第二导电类型半导体层电连接；其中，所述第一接触电极沿第二方向延伸形成至少一个第一凸出部； 第二绝缘层，设置在所述接触电极上； 第一焊盘电极，形成在所述发光外延层之上，与所述第一导电类型半导体层电连接； 第二焊盘电极，形成在所述发光外延层之上，与所述第二导电类型半导体层电连接； 第一缓冲部，形成于所述第二绝缘层内；在所述发光外延层堆叠方向上，所述第一缓冲部的投影与所述第一凸出部重叠；且在第一方向上，所述第二焊盘电极的投影和所述第一凸出部的投影、所述第一缓冲部的投影具有重叠部分； 所述第一方向和所述第二方向垂直； 所述第一绝缘层内部设有第二缓冲部，在所述发光外延层堆叠方向上，所述第二缓冲部的投影至少覆盖所述第一开口。

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