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龙图腾网获悉扬州大学申请的专利一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119849425B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411712242.3，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法是由薛玉雄;李佳妍;曹荣幸;周炜翔;冯子华;郑澍;刘涵勋;陈肖设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法，涉及半导体仿真领域，通过获取半导体器件的工艺结构参数和材料参数，在仿真软件中构建二位元胞结构模型仿真模拟得到热源，然后根据半导体器件结构特点构建半导体器件的三维多栅指结构模型，将仿真对象从二维元胞结构扩展到更加复杂的三维多栅指结构，再将二维元胞结构仿真模拟得到的热源导入三维模型中进行多物理场仿真模拟，并对多物理场仿真结果进行热力学分析。通过本发明能够模拟热场、应力场等多个物理场的相互作用，用于复杂结构和环境下的多场耦合分析，可以更全面地分析半导体器件在多物理场作用下的热力特性，为优化器件设计、提升其在高压、高温和辐射环境下的性能和可靠性提供更为准确的仿真依据。

本发明授权一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法，其特征在于，包括以下步骤： S1在半导体仿真软件TCAD构建网格化二维结构模型； S2添加电学仿真模型，构建器件的电学模型，对模型施加偏置电压获取电学特性曲线； S3仿真模型的电学特性曲线与实际器件产品手册中电学特性曲线对比进行模型优化； S4设置碰撞离化模型，并设置入射粒子信息参数构建单粒子烧毁效应仿真模型，并进行仿真模拟； S5添加晶格加热模型，输入物理参数进行热效应分析； S6根据实际器件的结构特点在有限元仿真软件COMSOL中构建半导体器件的三维多栅指结构模型，并设置对应的材料属性，对三维结构模型进行网格划分； S7在有限元仿真软件COMSOL的热传导模块与结构力学模块中设置边界条件，在多物理场中添加热膨胀模型，对器件的热力分布进行仿真模拟； S8根据多物理场仿真结果进行热力学分析。

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