复旦大学赵岩获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119859250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411899611.4，技术领域涉及：C08G61/12；该发明授权一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用是由赵岩;张瑜;王芝慧;陆雪峰;常东东;刘云圻设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于有机半导体材料技术领域，具体为一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用。本发明聚合物半导体材料是以大环冠醚为侧链的吡咯并吡咯二酮类本征低熔点聚合物。本发明通过在侧链中引入大环冠醚，实现对现有有机聚合物熔点的降低。本发明提供的聚合物可以通过熔融摩擦转移法获得高取向性半导体薄膜，该半导体薄膜可作为有机场效应晶体管中的有机半导体层，得到一种新的有机场效应晶体管；通过调控分子堆积模式，提高有机场效应晶体管的载流子迁移率。本发明为无溶剂加工有机场效应晶体管器件提供可行方法，这将有助于解决利用氯化溶剂的传统溶液法加工引发的环境污染问题。
本发明授权一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种本征低熔点聚合物，其特征在于，是以大环冠醚为侧链的吡咯并吡咯二酮类共轭聚合物，其熔点范围为60~140℃，结构如下式Ⅰ所示： ， Ⅰ 其中，x，y为单元组分的摩尔数，满足x:y=1:30~1:5；n为聚合度；聚合度n=1~300； R1为式Ⅲ所示的结构式： ， Ⅲ n1=1~10； R2为碳原子数1-30的直链或支链烷基； AR为以下所述结构中的一种： 。
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