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龙图腾网获悉华源智信半导体(深圳)有限公司申请的专利开通及关断速度控制电路、功率电路以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119865051B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510356140.0，技术领域涉及：H02M1/36；该发明授权开通及关断速度控制电路、功率电路以及电子设备是由郭春明;马道平设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本开通及关断速度控制电路、功率电路以及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种开通及关断速度控制电路、功率电路以及电子设备，开通及关断速度控制电路串联在功率器件的栅极以及漏极之间，开通及关断速度控制电路包括第一RCD模块，第一RCD模块中的第一电容的第一端耦接至栅极或漏极，第一电容的第二端通过第一二极管耦接至漏极或栅极，第一电容的第二端还通过第一电阻耦接至漏极或栅极。从而，本发明利用开通及关断速度控制电路单独控制功率器件的开通速度或关断速度，且开关损耗较小，不影响电路效率。

本发明授权开通及关断速度控制电路、功率电路以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种开通及关断速度控制电路，其特征在于，应用于功率器件，所述开通及关断速度控制电路串联在所述功率器件的栅极以及漏极之间，所述开通及关断速度控制电路包括第一RCD模块，所述第一RCD模块包括第一电容、第一电阻以及第一二极管； 所述第一电容的第一端耦接至所述栅极或所述漏极，其第二端通过所述第一二极管耦接至所述漏极或所述栅极，所述第一电容的第二端还通过第一电阻耦接至所述漏极或所述栅极； 所述功率器件为NMOS管、PMOS管、碳化硅开关管、耗尽型氮化镓开关管、增强型氮化镓开关管或氧化镓开关管； 所述第一RCD模块用于在所述功率器件导通或关断时增加所述功率器件的米勒电容； 所述开通及关断速度控制电路还包括第二RCD模块，所述第二RCD模块包括第三电容、第四电阻以及第二二极管； 所述第三电容的第一端耦接至所述栅极或所述漏极，其第二端通过所述第二二极管耦接至所述漏极或所述栅极，所述第三电容的第二端还通过第四电阻耦接至所述漏极或所述栅极； 其中，所述第一二极管的正极耦接至所述第一电容的第二端，所述第一二极管的负极耦接至所述漏极或所述栅极； 所述第二二极管的正极耦接至所述漏极或所述栅极，所述第二二极管的负极耦接至所述第三电容的第二端。

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