买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种基于磁控溅射非晶硅的SiC/InP异质晶圆键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119876870B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410879458.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种基于磁控溅射非晶硅的SiC/InP异质晶圆键合方法是由郭敏;李寒;李俊升;吴硕;洪孟;徐康;黄超;龚怡设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于磁控溅射非晶硅的SiC/InP异质晶圆键合方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种基于磁控溅射非晶硅的SiCInP异质晶圆键合方法。包括以下步骤：S1、提供第一晶圆和第二晶圆，通过磁控溅射法在第一晶圆和第二晶圆的键合面均沉积界面层以实现异质晶圆的同质界面转换；S2、采用等离子体活化界面层；S3、将第一晶圆和第二晶圆的键合面进行预键合处理，通过低温退火处理，得到异质晶圆。本发明通过通过磁控溅射法非晶硅溅射技术在异质晶圆表面分别形成超薄纳米级硅材料界面层，实现异质晶圆的同质界面转换，提高异质晶圆的常温直接键合能力；同时采用等离子体表面活化技术，活化硅材料界面层，去除非晶硅层的表面杂质并改善非晶硅表面活性，实现SiC和InP异质晶圆超薄界面键合。

本发明授权一种基于磁控溅射非晶硅的SiC/InP异质晶圆键合方法在权利要求书中公布了：1.一种基于磁控溅射非晶硅的SiCInP异质晶圆键合方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、提供第一晶圆和第二晶圆，通过磁控溅射法在第一晶圆和第二晶圆的键合面均沉积界面层以实现异质晶圆的同质界面转换； S2、采用等离子体活化界面层； S3、将第一晶圆和第二晶圆的键合面进行预键合处理，通过低温退火处理，得到异质晶圆； 步骤S1中，所述第一晶圆的材料为SiC，第二晶圆的材料为InP，所述界面层的材料为纳米硅，界面层的厚度为100nm-200nm；步骤S1中磁控溅射法的工艺参数包括：靶材为非晶硅靶，溅射的压强为1Pa-2Pa，溅射功率为10W-20W，磁控溅射使用的气体为氩气，氩气流量为50sccm-60sccm，溅射时间为30s-60s； 步骤S3中，预键合处理的压力为0.8-1.2MPa，处理时间为8-24h；低温退火处理的温度为200-300℃，退火时间为12-24h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉理工大学，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。