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龙图腾网获悉广东智子智能技术有限公司申请的专利硅碳粉体及其制作设备、基于硅碳粉体的分散吸附工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119898758B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510224064.8，技术领域涉及：C01B32/05；该发明授权硅碳粉体及其制作设备、基于硅碳粉体的分散吸附工艺是由郑春阳;李林波;段臻;高小云设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅碳粉体及其制作设备、基于硅碳粉体的分散吸附工艺在说明书摘要公布了：本申请提供一种硅碳粉体及其制作设备、基于硅碳粉体的分散吸附工艺。上述的基于硅碳粉体的分散吸附工艺包括如下步骤：获取多孔碳粉体；向多孔碳粉体通入改性用气体进行流化处理，改性用气体至少包括硅烷化合物和烃类化合物，改性用气体的流速为10sccm~200sccm；对改性用气体进行等离子处理，通入以向多孔碳粉体通入等离子气体，多孔碳粉体与等离子气体能够均匀分散混合，等离子电源功率为100W~4000W，放电电压为500V~5000V，放电电流0.2A~3A，温度为50℃~400℃。上述的基于硅碳粉体的分散吸附工艺，能较好地优化多孔碳与等离子气体的分散均匀性，进而提高掺杂和包覆均匀性。

本发明授权硅碳粉体及其制作设备、基于硅碳粉体的分散吸附工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于硅碳粉体的分散吸附工艺，其特征在于，包括如下步骤： 获取多孔碳粉体； 向所述多孔碳粉体输入惰性气体进行流化处理； 对所述惰性气体进行等离子处理； 向所述多孔碳粉体通入改性用气体进行流化处理，所述改性用气体至少包括硅烷化合物和烃类化合物； 对所述改性用气体进行等离子处理，通入以向多孔碳粉体通入等离子气体，多孔碳粉体与等离子气体能够均匀分散混合； 其中，对所述改性用气体进行等离子处理，具体包括如下步骤： 对所述改性用气体进行一级等离子处理，其中，所述改性用气体的流速为10sccm~50sccm；等离子电源功率为100W~500W，放电电压为500V~1500V，放电电流0.2A~0.8A，温度为50℃~200℃； 对所述改性用气体进行二级等离子处理，其中，所述改性用气体的流速为100sccm~200sccm；所述等离子电源功率为2000W~4000W，放电电压为2500V~5000V，放电电流1A~3A，温度为300℃~400℃； 对所述改性用气体进行三级等离子处理，其中，所述改性用气体的流速为50sccm~100sccm；所述等离子电源功率为500W~2000W，放电电压为1500V~2500V，放电电流0.5A~1.5A，温度为100℃~300℃。

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