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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于一阶Mur吸收边界条件的电磁场仿真方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119903711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510089842.7，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于一阶Mur吸收边界条件的电磁场仿真方法及系统是由冯健;施阳;方明;徐珂;邓学松;黄志祥;吴先良设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于一阶Mur吸收边界条件的电磁场仿真方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于一阶Mur吸收边界条件的电磁场仿真方法及系统，涉及电磁场仿真邻域，方法包括以下步骤：构建针对FCC‑FDTD的一阶Mur边界条件；初始化电场参数和磁场参数，定义待仿真区域的介质参数和几何结构以及激励源；设置所述一阶Mur边界条件，基于所述一阶Mur边界条件对电场和磁场进行更新，完成仿真。本发明通过详细推导吸收边界上电场的迭代公式，构建了一种新型的一阶Mur边界条件，并通过新型边界条件来进行电磁场的仿真，与传统FDTD算法对比，本发明简单易行，便于实现，有助于FCC‑FDTD方法的广泛应用。

本发明授权一种基于一阶Mur吸收边界条件的电磁场仿真方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于一阶Mur吸收边界条件的电磁场仿真方法，其特征在于，包括以下步骤： 构建针对FCC-FDTD的一阶Mur边界条件； 初始化电场参数和磁场参数，定义待仿真区域的介质参数和几何结构以及激励源； 设置所述一阶Mur边界条件，基于所述一阶Mur边界条件对电场和磁场进行更新，完成仿真； 构建所述一阶Mur边界条件的方法包括： 根据电场微分形式，结合麦克斯韦-安培定律，得到FCC网格中的电场分量的电场迭代微分方程； 根据磁场微分形式，结合麦克斯韦-法拉第定律，得到FCC网格中的磁场的磁场迭代微分方程； 基于所述电场迭代微分方程和所述磁场迭代微分方程得到所述一阶Mur边界条件； 所述电场微分形式和所述磁场微分形式分别为： 其中，E表示电场强度，H表示磁场强度，ε表示介质的介电常数，μ表示介质的磁导率，t表示时间，A和B表示空间算符矩阵，x、y、z表示空间坐标； 所述电场迭代微分方程为： 其中， 所述磁场迭代微分方程为： 其中， 其中，表示网格坐标，n表示时间步数，Δy表示FCC网格在y方向上的尺寸，Δz表示FCC网格在z方向上的尺寸； 所述一阶Mur边界条件为： 其中，Ψ＝x、y、z，ξ＝x、y、z，Ψ≠ξ。

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