华中科技大学陈材获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种功率半导体器件双面散热结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920778B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510094705.2，技术领域涉及：H01L23/38；该发明授权一种功率半导体器件双面散热结构及其制备方法是由陈材;吕葳杉;吕坚玮;刘佳欣;韦苏航;刘柏寒;康勇设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件双面散热结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率半导体器件双面散热结构及其制备方法，双面散热结构包括：由下到上依次设置有一类热端基板10、第一导体层、一类冷端基板15、一类冷端基板第三线路层16、若干功率半导体芯片18、若干热界面材料30、二类冷端基板第六线路层29、若干二类冷端基板28、第二导体层、第三导体层和二类热端基板23，其中，第一热界面材料下表面通过铜夹21和一类冷端基板第三线路层16相连，所述第二导体层和第三导体层并列排布。本发明通过在功率芯片下表面直接集成冷端基板来避免热界面材料引起较大接触热阻的问题，同时也在功率芯片上表面集成冷端基板，实现功率芯片的双面高效散热。
本发明授权一种功率半导体器件双面散热结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件双面散热结构，其特征在于，包括：由下到上依次设置有一类热端基板10、第一导体层、一类冷端基板15、一类冷端基板第三线路层16、若干功率半导体芯片18、若干热界面材料30、二类冷端基板第六线路层29、若干二类冷端基板28、第二导体层、第三导体层和二类热端基板23，其中，第一热界面材料下表面通过铜夹21和一类冷端基板第三线路层16相连，所述第二导体层和第三导体层并列排布。
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