一道新能源科技股份有限公司梁筠获国家专利权
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龙图腾网获悉一道新能源科技股份有限公司申请的专利一种管式PECVD设备维护后的空跑修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119956336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311497851.7，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权一种管式PECVD设备维护后的空跑修复方法是由梁筠;张家伟;徐希贵;鞠素馨设计研发完成，并于2023-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种管式PECVD设备维护后的空跑修复方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种管式PECVD设备维护后的空跑修复方法，其中，本发明实施例所提供的空跑修复方法包括：在管式PECVD设备维护后，将空石墨舟置于炉管中，并在炉管内沉积氧化铝层；在沉积氧化铝层后，在所述氧化铝层上沉积氧化硅层；在沉积氧化硅层，在所述氧化硅层上分步沉积多层氮化硅层；在沉积多层氮化硅层后，控制炉管降温、回压后出舟。本发明提供的空跑修复方法，通过上述空跑工艺，实现氧化铝和氮化硅厚度增加，快速修复掏炉管受损薄膜，使管内达到维护前工艺环境，从而改善现有用于沉积氧化铝及SiNx做背面钝化膜层的管式PECVD设备在维护后容易出现首舟效率较低、良率较差的问题。
本发明授权一种管式PECVD设备维护后的空跑修复方法在权利要求书中公布了：1.一种管式PECVD设备维护后的空跑修复方法，其特征在于，包括： 在管式PECVD设备维护后，将空石墨舟置于炉管中，并在炉管内沉积氧化铝层； 在沉积氧化铝层后，在所述氧化铝层上沉积氧化硅层； 在沉积氧化硅层，在所述氧化硅层上分步沉积多层氮化硅层； 在沉积多层氮化硅层后，控制炉管降温、回压后出舟。
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