广州增芯科技有限公司陶波获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利射频功率放大器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510119508.1，技术领域涉及：H10D18/01；该发明授权射频功率放大器的制备方法是由陶波;汪维金;王子健;李望设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频功率放大器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种射频功率放大器的制备方法，包括：提供衬底，其包括从下至上依次分布的底硅层、埋氧层和顶硅层；在顶硅层中形成浅沟槽隔离结构，相邻有源区通过浅沟槽隔离结构隔离；在第一有源区制备硅锗三极管，包括：刻蚀该区部分顶硅层，形成开口，其底部与埋氧层之间留有预设厚度顶硅层；对开口底部顶硅层进行掺杂，形成第一重掺杂区，作为集电区；在第一重掺杂区之上生长硅锗层，作为基区；在硅锗层上形成第二重掺杂区，作为发射区；形成金属互连结构。本发明的技术方案，在SOI衬底上制备，衬底尺寸能够做到12寸，且锗硅三极管的集电区、基区、发射区沿纵向设置，对衬底的横向空间占用小，允许衬底上设置其他器件，集成度高、成本低。
本发明授权射频功率放大器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种射频功率放大器的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S0：提供一衬底，所述衬底包括从下至上依次分布的底硅层、埋氧层和顶硅层； 步骤S1：在所述顶硅层中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构与所述埋氧层连接，所述顶硅层的相邻有源区通过所述浅沟槽隔离结构进行隔离； 步骤S2：在第一有源区制备硅锗三极管，包括： 刻蚀所述第一有源区的部分顶硅层，形成开口，所述开口底部与所述埋氧层之间留有预设厚度的顶硅层； 对所述开口底部的顶硅层进行掺杂，形成第一重掺杂区，所述第一重掺杂区作为所述硅锗三极管的集电区； 在所述第一重掺杂区之上生长硅锗层，所述硅锗层作为所述硅锗三极管的基区； 在所述硅锗层上形成第二重掺杂区，所述第二重掺杂区作为所述硅锗三极管的发射区； 步骤S3：形成金属互连结构。
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