珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司李理获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利功率器件终端结构及制备其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510119695.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率器件终端结构及制备其的方法是由李理设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率器件终端结构及制备其的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率器件终端结构及制备其的方法，功率器件终端结构包括：N型衬底；N型外延层，N型外延层设置于N型衬底的一侧；多个沟槽，多个沟槽沿N型外延层的长度方向的第一侧至第二侧依次间隔设置于N型外延层，各个沟槽的一端与N型衬底间隔设置，各个沟槽的另一端延伸至N型外延层的远离N型衬底的一侧；多个P型外延层，多个P型外延层沿远离N型衬底的方向依次设置于N型外延层的远离N型衬底的一侧，各个P型外延层的部分均位于多个沟槽中的至少一个内；其中，多个P型外延层的掺杂浓度沿远离N型衬底的方向逐渐减小，解决了现有技术中的SIC功率器件的击穿电压较低的问题。
本发明授权功率器件终端结构及制备其的方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件终端结构，其特征在于，包括： N型衬底1； N型外延层2，所述N型外延层2设置于所述N型衬底1的一侧； 多个沟槽3，所述多个沟槽3沿所述N型外延层2的长度方向的第一侧至第二侧依次间隔设置于所述N型外延层2，各个所述沟槽3的一端与所述N型衬底1间隔设置，各个所述沟槽3的另一端延伸至所述N型外延层2的远离所述 N型衬底1的一侧； 多个P型外延层4，所述多个P型外延层4沿远离所述N型衬底1的方向依次设置于所述N型外延层2的远离所述N型衬底1的一侧，各个所述P型外延层4的部分均位于所述多个沟槽3中的至少一个内； 其中，所述多个P型外延层4的掺杂浓度沿远离所述N型衬底1的方向逐渐减小。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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