湖南师范大学金湘亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南师范大学申请的专利一种具有脉冲编码能力的仿生视觉传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510071921.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种具有脉冲编码能力的仿生视觉传感器及其制作方法是由金湘亮;曹智祥设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有脉冲编码能力的仿生视觉传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有脉冲编码能力的仿生视觉传感器装置。光量子到达装置时，会产生光生电子‑空穴对。光生载流子通过阴极与阳极之间的强大电场力，继续和晶格原子发生碰撞，产生新的光生电子‑空穴对。该过程将不断重复，继而产生宏观电流。通过外接电阻分压，降低阴极与阳极之间电场，使宏观电流被淬灭，从而实现持续几纳秒的脉冲电流。在几十纳秒后，该装置迅速恢复到初始状态，为探测下一个光量子做准备。此外，多晶硅栅下方形成的反型层可以有效调控该装置的光波长响应，使其具有生物学上合理的视觉色彩感知能力。同时，该装置与标准微电子工艺完全兼容，能够实现大规模集成的仿生视觉传感器，从而满足仿生机器人等领域的发展需求。
本发明授权一种具有脉冲编码能力的仿生视觉传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有脉冲编码能力的仿生视觉传感器，其特征在于： P型衬底101上设有N型掩埋层区102； N型掩埋层区102上设有N型深阱区103； N型深阱区103上从左至右依次设有第一浅槽隔离区201、第一N+重掺杂区105、第二浅槽隔离区202、第一多晶硅栅区205、第一P+重掺杂区106、第二多晶硅栅区206、第二P+重掺杂区107、第三多晶硅栅区207、第三P+重掺杂区108、N阱区104、第四多晶硅栅区208、第四P+重掺杂区109、第五多晶硅栅区209、第五P+重掺杂区110、第六多晶硅栅区210、第三浅槽隔离区203、第二N+重掺杂区111、第四浅槽隔离区204； 所述第一N+重掺杂区105、第二N+重掺杂区111通过金属引出接入阴极，第一至第六多晶硅栅区205、206、207、208、209、210、第一至第五P+重掺杂区106、107、108、109、110通过金属引出接入阳极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南师范大学，其通讯地址为：410081 湖南省长沙市岳麓区麓山路36号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励