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龙图腾网获悉湖南大学;湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)申请的专利一种超表面异质集成硅基EUV探测器设计及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411973464.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种超表面异质集成硅基EUV探测器设计及其制备方法是由冯波;陈曌;黄飞凤;陈鸿彬;王彪;王乾丞设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超表面异质集成硅基EUV探测器设计及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超表面异质集成硅基EUV探测器设计及其制备方法，该探测器基于超表面光场调控能力及石墨烯硅异质集成“超浅结”特性，在SOI上光刻刻蚀出硅纳米立柱，采用“全干法转移技术”将单层石墨烯转至硅纳米立柱顶部实现异质集成，获得肖特基势垒结构单元，克服了硅基EUV探测器研制关键挑战即，如何实现极低透射深度EUV波段的高效探测、并同时完成光场波前信息的有效提取。本发明开发了EUV波前信息和直接“光‑电”探测功能的一体化集成方案，获得逼近理论性能极限的器件原型，为研制新型EUV波前探测系统奠定基础，对发展新型EUV探测系统关键零部件具有重要意义。

本发明授权一种超表面异质集成硅基EUV探测器设计及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超表面异质集成硅基EUV探测器制备方法，其特征在于，具体步骤如下： 对SOI衬底预处理：将SOI衬底于丙酮中浸泡，之后放60℃的IPA溶液超声清洗，取出后N2吹干； 制备Si纳米立柱阵列：预处理完成后的SOI衬底在正面均匀涂覆光刻胶，在100℃的条件下，烘干后采用电子束光刻形成光刻胶圆形阵列结构；在衬底正面以光刻胶为掩膜，以HBr为刻蚀气体采用干法刻蚀形成Si纳米立柱阵列超表面结构；在衬底正面旋涂光刻胶，循环执行“光刻-刻蚀”工艺，去除边缘的Si和SiO2，获得外围台阶结构； 栅极外延：在衬底表面旋涂光刻胶，光刻显影去除外围光刻胶，之后采用MOCVD的方法外延生长一层Si，之后放入丙酮溶液中浸泡10s剥离掉表面光刻胶，得到栅极结构； 制造浅沟槽隔离：在衬底表面旋涂一层光刻胶光刻显影定义图形，以光刻胶为掩膜采用干法刻蚀工艺刻蚀形成沟槽结构，之后采用CVD的方法沉积SiO2，沉积完成后放入丙酮溶液中浸泡10s剥离掉表面光刻胶，沟槽中被SiO2致密填充形成隔离结构； 源极和漏极外延：在衬底表面旋涂一层光刻胶光刻显影定义图形，之后采用MOCVD的方法外延生长N型SiC高惨外延层，生长完成后放入丙酮溶液中浸泡10s剥离掉表面光刻胶，形成重掺杂的源极和漏极； “GrSi异质结”超表面集成：基于全干法转移技术，将单层石墨烯转移至硅纳米立柱顶部，单层石墨烯与Si纳米立柱共形集成“GrSi异质结”结构，获得肖特基势垒超构单元，之后采用离子束镀膜工艺在单层石墨烯表面沉积一层TaBO薄膜作为抗反射层，最终形成TaBOGrapheneSinanopillars超表面结构； 背部减薄：在衬底背部旋涂一层光刻胶，以光刻胶为掩膜采用湿法腐蚀工艺去除背部Si层，刻蚀完成后放入超净水中冲洗去除刻蚀溶液，之后再放入HF溶液中去除一定的SiO2层，刻蚀完成后放入超净水中冲洗去除刻蚀溶液，最后做烘干处理； 背部反射镜的制作：采用离子束镀膜工艺，在衬底背面减薄区域沉积MoSi多层膜结构，形成背部MoSi反射镜结构。

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