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龙图腾网获悉中国地质大学(北京);中国石油大学(华东);中国科学技术大学申请的专利活性纳米粒子的生成方法、装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119989841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411812192.6，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权活性纳米粒子的生成方法、装置和电子设备是由由庆;戴彩丽;赵光;吴一宁;刘逸飞;刘晓强;王奉超;王磐设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本活性纳米粒子的生成方法、装置和电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及纳米粒子材料仿真模拟技术领域，尤其涉及活性纳米粒子的生成方法、装置和电子设备。该方法包括：按照第三数量和第一配置参数，生成活性纳米粒子的基底；按照第二数量，生成包含第二数量个分子结构的修饰结构；对修饰结构进行预设操作，得到处理后的修饰结构；将处理后的修饰结构中的连接位点与活性纳米粒子的基底的修饰位点连接，得到活性纳米粒子的分子模型；基于分子模型对应的化学环境的力场参数，确定分子模型中每个原子携带的电荷；基于分子模型中每个原子的原子坐标、每个原子携带的电荷、以及力场参数三者对分子模型进行弛豫处理，得到活性纳米粒子。

本发明授权活性纳米粒子的生成方法、装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.活性纳米粒子的生成方法，其特征在于，包括： 获取活性纳米粒子的基底的第一配置参数，以及修饰基团的分子结构；其中，所述第一配置参数包括基底的类型、基底的粒子直径、所述基底的修饰位点的第一数量和所述基底的缺省基团的类型，一个分子结构对应一个第二配置参数，所述第二配置参数包括修饰基团的类型和修饰基团的连接位点的第二数量，所述第二数量等于所述第一数量； 基于所述基底的类型、所述粒子直径和所述第二数量，确定所述缺省基团的第三数量； 按照所述第三数量和所述第一配置参数，生成活性纳米粒子的基底； 按照所述第二数量，生成包含所述第二数量个所述分子结构的修饰结构； 对所述修饰结构进行预设操作，得到处理后的修饰结构；其中，所述预设操作包括坐标变换处理和添加化学键处理； 将所述处理后的修饰结构中的连接位点与所述活性纳米粒子的基底的修饰位点连接，得到活性纳米粒子的分子模型； 基于所述分子模型对应的化学环境的力场参数，确定所述分子模型中每个原子携带的电荷； 基于所述分子模型中每个原子的原子坐标、所述每个原子携带的电荷、以及所述力场参数三者对所述分子模型进行弛豫处理，得到活性纳米粒子；其中， 所述按照所述第三数量和所述第一配置参数，生成活性纳米粒子的基底，包括： 按照基底的粒子直径、所述基底的修饰位点的第一数量，生成目标粒子； 将所述缺省基团与所述目标粒子的修饰位点连接，形成活性纳米粒子的基底； 所述对所述修饰结构进行预设操作，得到处理后的修饰结构，包括： 对所述修饰结构中相连接的两个原子之间进行添加化学键处理，得到添加化学键的修饰结构； 对所述添加化学键的修饰结构中每个原子的原子坐标进行坐标变换处理，得到处理后的修饰结构；其中，所述处理后的修饰结构中连接位点与所述活性纳米粒子的基底的修饰位点之间的距离等于所述处理后的修饰结构中连接位点与所述活性纳米粒子的基底的修饰位点之间的化学键的键长、所述处理后的修饰结构中所述连接位点与所述活性纳米粒子的基底的修饰位点之间的相邻原子的键角等于所述处理后的修饰结构中所述连接位点与所述活性纳米粒子的基底的修饰位点之间的化学键的键角、所述处理后的修饰结构中所述连接位点与所述活性纳米粒子的基底的修饰位点之间的相邻原子的二面角等于所述处理后的修饰结构中所述连接位点与所述活性纳米粒子的基底的修饰位点之间的化学键的二面角。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国地质大学(北京);中国石油大学(华东);中国科学技术大学，其通讯地址为：100191 北京市海淀区学院路29号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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