中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所代浩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利二维半导体材料原位氧化的高介电常数栅介质材料及其制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510123027.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权二维半导体材料原位氧化的高介电常数栅介质材料及其制备方法、应用是由代浩;张珽;王小伟;孙富钦;管科杰;芶晓霜;何小钱;夏洋设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维半导体材料原位氧化的高介电常数栅介质材料及其制备方法、应用在说明书摘要公布了：本公开提出了一种二维半导体材料原位氧化的高介电常数栅介质材料的制备方法，包括：通过紫外光对二维半导体材料进行照射，紫外光分解空气中的氧气并氧化二维半导体材料，以在二维半导体材料表面原位生长得到高介电常数栅介质材料；再对高介电常数栅介质材料进行快速热退火，以得到致密的高介电常数栅介质材料。其中，二维半导体材料为二维硫化钽，二维硫化钽的表面平整度为±0.5nm，高介电常数栅介质材料为氧化钽，氧化钽的介电常数为18‑22，氧化钽的表面平整度为±0.7nm。本公开还提出了根据前述制备方法得到的高介电常数栅介质材料以及其作为栅介质材料的晶体管和互补型金属‑氧化物‑半导体反相器。
本发明授权二维半导体材料原位氧化的高介电常数栅介质材料及其制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种二维半导体材料原位氧化的高介电常数栅介质材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 通过紫外光对二维半导体材料进行照射，所述紫外光分解空气中的氧气并氧化所述二维半导体材料，以在所述二维半导体材料表面原位生长得到高介电常数栅介质材料； 对所述高介电常数栅介质材料进行快速热退火，以得到致密的高介电常数栅介质材料； 其中，所述二维半导体材料为二维硫化钽，所述二维硫化钽的表面平整度为±0.5nm，所述高介电常数栅介质材料为氧化钽，所述氧化钽的介电常数为18-22，所述氧化钽的表面平整度为±0.7nm。
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