中国科学院半导体研究所王硕获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种双台面结构异质结红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510129629.4，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种双台面结构异质结红外探测器及其制备方法是由王硕;牛智川;郝宏玥;徐应强;吴东海;王国伟;蒋洞微;倪海桥;张世豪设计研发完成，并于2025-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双台面结构异质结红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双台面结构异质结红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括：衬底、外延层、钝化层和金属电极，所述外延层包括缓冲层、第一欧姆接触层、集电层、基层、发射层、第二欧姆接触层和保护层，所述第一欧姆接触层上设有第一台阶，使得第一台阶内侧的第一欧姆接触层和集电层形成台柱结构，所述集电层上设有第二台阶，使得第二台阶内侧的集电层、基层、发射层、第二欧姆接触层和保护层形成微柱结构。本发明通过双台面结构的设计，有效抑制光生载流子的横向移动，同时微柱结构和台柱结构能够将电场限制在中心区域，可以降低台面周边区域的电场强度，抑制边缘击穿，降低杂质和缺陷引起的表面漏电流，降低暗电流。
本发明授权一种双台面结构异质结红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双台面结构异质结红外探测器，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，设置于所述衬底上，所述外延层包括缓冲层、第一欧姆接触层、集电层、基层、发射层、第二欧姆接触层和保护层，所述第一欧姆接触层上设有第一台阶，使得第一台阶内侧的第一欧姆接触层和第一台阶上侧的集电层形成台柱结构，所述集电层上设有第二台阶，使得第二台阶内侧的集电层和第二台阶上侧的基层、发射层、第二欧姆接触层以及保护层形成微柱； 钝化层，覆盖于所述外延层表面，所述钝化层上设有位于第一欧姆接触层上的第一电极窗口和位于保护层上的第二电极窗口； 金属电极，包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别设置于第一电极窗口和第二电极窗口内。
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