厦门大学洪文晶获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种用于激光辅助MicroLED巨量转移的光敏复合材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120025481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510173571.3,技术领域涉及:C08F212/08;该发明授权一种用于激光辅助MicroLED巨量转移的光敏复合材料及其制备方法和应用是由洪文晶;邵琪;苏文湫;纪金朝;童琦韩;杨旭;赵春凤;朱逸韬;陈超;洪贵春设计研发完成,并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于激光辅助MicroLED巨量转移的光敏复合材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明提供了一种用于激光辅助MicroLED巨量转移的光敏复合材料,包括:式I所示的无规共聚物和光敏小分子。采用将聚合物和偶氮砜小分子按比例混合的方式制备新型转移复合材料。其中聚合物部分通过简单调整共聚单体种类可以实现力学性能和热学性能调节,使其具备高黏附力,可旋涂成光滑薄膜,提供膜层的整体网络骨架。偶氮砜小分子作为光敏成分,通过调整苯胺原料上的侧链基团种类实现性能调整,使其对不同波长激光具备高选择性吸收,分解生成大量气体产生推动力使芯粒转移。通过合成步骤的优化,提高聚合物和小分子的产率且无需后续复杂纯化步骤。芯粒拾取步骤已能够达到大于99%的良率以及芯粒释放步骤能够小部分区域的完全释放。
本发明授权一种用于激光辅助MicroLED巨量转移的光敏复合材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种用于激光辅助MicroLED巨量转移的光敏复合材料,其特征在于,包括:式I所示的无规共聚物和光敏小分子;所述无规共聚物和光敏小分子的干重质量比为4:1~1:4; 式I; 其中,a=0.001~1,b=0.001~1,c=0.001~1;R1、R2和R3独立的选自烷基、氢、氰基、卤素、羟基、氨基、芳香基、环氧基、羰基、硝基、磺酸基、磺酰基、硼烷基取代的C1~C50的烷基、取代或未取代的C1~C50的酰胺基、取代或未取代的C1~C50的酯基、取代或未取代的C1~C50的杂芳基、取代或未取代的C1~C50的芳氧基、取代或未取代的C1~C50的杂环烷基; 所述光敏小分子为式II结构的偶氮砜; 式II; 其中R为苯环上2~6取代位被氢、C1~C20的烷基、C1~C20的炔基、C1~C20的烯基、卤素、C1~C20的烷氧基、芳氧基、芳基、杂环烷基、杂芳基、杂芳氧基、氰基、羧基、羰基、硝基、羟基、氨基、磺酸基、磺酰基、磷酸基、磷酰基、硅基、硼烷基单取代或多取代。
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