中国科学院上海技术物理研究所胡伟达获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种外尔半金属长波红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510201909.1，技术领域涉及：H10F30/10；该发明授权一种外尔半金属长波红外探测器及其制备方法是由胡伟达;褚君浩;卓笑;姚碧霂;王芳;吴彦麟;刘泽西;陆卫设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外尔半金属长波红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于红外探测技术领域，具体一种外尔半金属长波红外探测器及其制备方法，外尔半金属长波红外探测器，包括衬底，以及从下至上依次堆叠在所述衬底上的底电极、外尔半金属层、石墨烯透明电极和顶电极，电极间沟道沿堆叠方向，形成垂直沟道；外尔半金属层，用于产生光电流；石墨烯透明电极，能够收集外尔半金属层产生的光电流。本发明解决了常规半导体长波红外探测器难以在室温条件工作的问题，及现有外尔半金属探测器实际光响应区域受限的问题，实现室温零偏压条件下的高性能光电探测，大幅增加了探测器的响应区域。
本发明授权一种外尔半金属长波红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外尔半金属长波红外探测器，其特征在于，包括衬底，以及从下至上依次堆叠在所述衬底上的底电极、外尔半金属层、石墨烯透明电极和顶电极，石墨烯透明电极与底电极间沟道沿堆叠方向，形成垂直沟道；外尔半金属层，用于产生光电流；石墨烯透明电极，能够收集外尔半金属层产生的光电流；外尔半金属层采用二碲化钨纳米片。
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