成都纤声科技有限公司张嵩松获国家专利权
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龙图腾网获悉成都纤声科技有限公司申请的专利掩膜版、MEMS声学器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120044746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510212180.8，技术领域涉及：G03F1/68；该发明授权掩膜版、MEMS声学器件及其制备方法是由张嵩松;王磊设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜版、MEMS声学器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种掩膜版、MEMS声学器件及其制备方法，涉及半导体加工技术领域。该掩膜版，包括：至少一个光刻区和包裹至少一个光刻区的非光刻区，光刻区和非光刻区中的一者透光、另一者不透光，光刻区上沿光刻区的长度方向交替划分有宽区和窄区，宽区和窄区之间为过渡区，宽区的最小宽度大于刻蚀设备的最小加工尺寸，窄区的最大宽度小于刻蚀设备的最小加工尺寸，多个窄区的总长度不超过光刻区的长度的20％。该掩膜版的光刻区的宽度存在变化，在刻蚀时即便振动薄膜的部分区域没有被刻穿，也会因为薄膜之间的张力而被拉断。故该掩膜版能够较为容易地在振动薄膜上加工出最小宽度小于刻蚀设备的最小加工尺寸的狭缝，并能够保证完全刻穿振动薄膜。
本发明授权掩膜版、MEMS声学器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版，其特征在于，包括：至少一个光刻区和包裹至少一个所述光刻区的非光刻区，所述光刻区和所述非光刻区中的一者透光、另一者不透光，所述光刻区上沿所述光刻区的长度方向交替划分有宽区和窄区，所述宽区和所述窄区之间为过渡区，所述宽区的最小宽度大于刻蚀设备的最小加工尺寸，所述窄区的最大宽度小于所述刻蚀设备的最小加工尺寸，多个所述窄区的总长度不超过所述光刻区的长度的20％。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都纤声科技有限公司，其通讯地址为：610094 四川省成都市高新区益州大道北段280号1栋1层1-2-11；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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