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龙图腾网获悉北京屹唐半导体科技股份有限公司申请的专利等离子体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120048715B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510217948.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体设备是由管长乐;范强设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种等离子体设备，涉及半导体设备技术领域。等离子体设备，包括：腔室基体，腔室基体的顶壁设有第一开口；介质筒，位于腔室基体的上方，且与腔室基体密封配合，使得腔室基体的内部空间通过第一开口与介质筒的内部空间连通；线圈组件，套设于介质筒外；冷却筒，位于介质筒与线圈组件之间，且与介质筒之间具有预设间隙；冷却筒设置有供冷却气体进入的进气孔；冷却筒具有第一层筒壁及第二层筒壁，第一层筒壁位于第二层筒壁朝向介质筒的内侧，第一层筒壁与第二层筒壁之间形成导流通道；第一层筒壁设置有多个出气孔，出气孔、进气孔分别与导流通道连通。本公开能对介质筒进行散热。

本发明授权等离子体设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子体设备，包括： 腔室基体，所述腔室基体的顶壁设有第一开口； 介质筒，位于所述腔室基体的上方，且与所述腔室基体密封配合，使得所述介质筒的内部空间通过所述第一开口与所述腔室基体的内部空间连通； 线圈组件，套设于所述介质筒外； 冷却筒，位于所述介质筒与所述线圈组件之间，且与所述介质筒之间具有预设间隙；所述冷却筒设置有供冷却气体进入的进气孔；所述冷却筒具有第一层筒壁及第二层筒壁，所述第一层筒壁位于所述第二层筒壁朝向所述介质筒的内侧，所述第一层筒壁与第二层筒壁之间形成导流通道；所述第一层筒壁设置有多个出气孔，所述出气孔、进气孔分别与所述导流通道连通；部分所述出气孔沿所述冷却筒的轴向间隔分布，部分所述出气孔沿所述冷却筒的周向间隔分布； 其中，在所述导流通道的引导下，从所述进气孔进入的冷却气体能流向多个所述出气孔，并从所述出气孔排出后进入所述预设间隙，以对所述介质筒进行散热； 所述冷却筒设置有多个长孔，所述长孔的长度方向平行于所述冷却筒的轴向； 至少两个所述长孔沿所述冷却筒的周向间隔分布； 所述第一层筒壁位于沿所述冷却筒的周向相邻的两个所述长孔之间的部分，设置有所述出气孔； 沿从下往上的方向，所述出气孔的直径逐渐增大；或，沿从下往上的方向，所述出气孔的分布密度逐渐增大。

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