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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种离子漏斗阱控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510174962.7，技术领域涉及：H01J49/06；该发明授权一种离子漏斗阱控制方法是由李海洋;潘慢慢;陈创;徐一仟;杨其穆;蒋丹丹设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子漏斗阱控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种全新的离子漏斗阱控制方法，注入富集阶段，存储区内施加较低强度的直流电场，进入存储区的离子沿其轴线均布悬停富集，提高离子注入容量；整形存储阶段，存储区施加中等强度的直流电场，将离子压缩至出口端栅网附近，提升离子数密度；脉冲释放阶段，存储区施加高强度的直流电场，离子快速离开存储区，进入离子迁移谱或质谱中进行分离检测。该离子漏斗阱内部电场的控制可以通过两种电势调制方式实现，一是在离子漏斗阱存储区轴向两端的栅网上施加周期性变化的电势从而周期性改变存储区内电场，二是通过周期性改变存储区环状电极对应电阻链两端电势差直接改变存储区直流电场强度。

本发明授权一种离子漏斗阱控制方法在权利要求书中公布了：1.一种离子漏斗阱控制方法，所述离子漏斗阱由内径呈沙漏状变化的九十六个环形金属电极按同轴、等间隔方式堆叠构成；沿自左至右的轴向，离子漏斗阱第一电极1至第六十三电极63之间构成离子引入区97，第六十四电极64至第七十五电极75之间构成离子存储区98，第七十六电极76至第九十六电极96之间构成离子引出区99；其中，第六十四电极64、第七十五电极75、第七十六电极76的内部均设置有可透过离子的金属栅网，除第六十四电极64、第七十五电极75和第七十六电极76外，离子漏斗阱的第一电极1至第九十六电极96通过分压电阻链与供电电源构成电气连接，于离子漏斗阱的离子引入区97、离子存储区98和离子引出区99内分别形成与离子迁移方向相同的直流电场，其特征在于， 在离子漏斗阱的工作周期中，离子引入区97和离子引出区99的电场强度分别维持E1和E3不变，第六十四电极64、第七十五电极75和第七十六电极76对应的电阻链位置电势分别为VG1、VG2和VG3，其中，VG1VG2VG3； 在离子漏斗阱的工作周期内，控制离子存储区98的电场强度随时间的增加而增强，于计时时刻t0≤t＜t1，由于离子存储区98的电场强度较低，离子从离子引入区97穿过第六十四电极64进入离子存储区98，并沿离子漏斗阱轴线悬停富集，将此阶段作为注入富集阶段； 于计时时刻t1≤t＜t2，由于离子存储区98的电场强度中等，电场驱动离子向第七十五电极75运动，第七十五电极75前的离子数密度提升，将此阶段作为存储整形阶段； 于计时时刻t2≤t＜t3，由于离子存储区98的电场强度较高，离子在离子存储区98高电场的作用下加速运动穿过第七十五电极75和第七十六电极76进入离子引出区99，进一步传输至迁移谱或质谱中进行分离检测，将此阶段作为脉冲释放阶段； 通过调制第六十四电极64的电势实现离子存储区98电场的周期性变化，具体为： 于计时时刻t0≤t＜t1，由离子存储区98对应电阻链两端电势差形成的电场强度为E2，第六十四电极64施加对应的位置电势VG1，第七十五电极75和第七十六电极76分别施加比对应位置电势VG2和VG3更高的电势V2和V3，V3V2VG2VG3； 于计时时刻t1≤t＜t2，由离子存储区98对应电阻链两端电势差形成的电场强度为E2，第六十四电极64施加一个比对应位置电势更高的电势V11，V11VG1，第七十五电极75和第七十六电极76分别施加电势V2和V3； 于计时时刻t2≤t＜t3，由离子存储区98对应电阻链两端电势差形成的电场强度E2，第六十四电极64施加一个更高的电压V12，V12V11，第七十五电极75和第七十六电极76分别施加对应的位置电势VG2和VG3。

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