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龙图腾网获悉山东晶镓半导体有限公司;山东大学申请的专利一种提高大尺寸半导体晶圆面形精度的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120095979B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510178274.8，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种提高大尺寸半导体晶圆面形精度的加工方法是由张雷;李秋波;王守志;王忠新;俞娇仙;王国栋;齐占国;徐现刚设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高大尺寸半导体晶圆面形精度的加工方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体晶体加工技术领域，涉及一种提高大尺寸半导体晶圆面形精度的加工方法。包括以下步骤：将GaN单晶衬底和基板清洗干净之后，将衬底置于匀胶机上进行液体蜡旋涂，而后将衬底带有蜡的一面与基板贴合后加压冷却固定，再将衬底置于研磨抛光设备抛光头上，利用车刀系统对研磨盘修出与抛光头上GaN单晶衬底晶片平行的面形，最后再利用修整面形之后的研磨盘对所述GaN单晶衬底进行研磨抛光处理，处理完毕后去蜡清洗。本发明所述方法一方面解决了传统涂蜡方式蜡层过厚，难清理等问题；一方面修整研磨盘的手段降低了大尺寸晶圆的面形参数，为后续小尺寸、大功率GaN基器件的制备做了铺垫。

本发明授权一种提高大尺寸半导体晶圆面形精度的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种提高大尺寸半导体晶圆面形精度的加工方法，其特征在于，包括以下步骤： 1衬底和基板清洗：将GaN单晶衬底和基板依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10-30min； 2旋涂：打开匀胶机和真空泵，将衬底真空吸收在样品台上，设置参数为2000-5000rpm，时间1-3min，打开旋涂开关，用滴管快速滴加1-5mL液体蜡进行旋涂； 3烘烤固定：旋涂蜡的衬底在90-120℃的加热台烘烤1-3min，而后将衬底翻转置于预热后的基板上，用气囊压或加压头，至少压半小时，待基板冷却固定； 4衬底加工：将GaN单晶衬底放置于研磨抛光设备抛光头上，利用车刀系统对研磨盘修出与抛光头上GaN单晶衬底平行的面形，通过“井”法测量抛光头直径和半径千分表示数；调整车刀位置，使刀头紧贴大盘盘面，开启车刀系统伸缩开关，将车刀退出大盘以外；开启大盘转速80-100rpm，车刀下降10-30μm，车刀系统前进速度1-5mmmin，开始修整平面，去除研磨盘原来的使用痕迹，至整个盘面修整结束停止；调节大盘转速50-80rpm，车刀下降10-30μm，车刀系统后退速度20-50mmmin，开始修整面形；测量盘形直径和半径方向千分表示数；最后再利用修整面形之后的研磨盘对所述GaN单晶衬底进行研磨抛光处理； 5去蜡：加工结束后，将GaN单晶衬底样品放在120-150℃的加热台上烘烤去蜡，然后对加工好的GaN单晶衬底依次用去蜡水、丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗。

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