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龙图腾网获悉清华大学申请的专利RRAM多比特存储快速读取电路和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120108467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510103186.1，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权RRAM多比特存储快速读取电路和方法是由姚鹏;李睿;揭路;李嘉宁;高滨;伍冬;唐建石;钱鹤;吴华强设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本RRAM多比特存储快速读取电路和方法在说明书摘要公布了：本申请特别涉及一种RRAM多比特存储快速读取电路和方法，包括：至少一个RRAM电导值读取电路、与每个电路对应设置至少一个RRAM和模数转换器，每个电路包括预充电节点、采样开关、开关件和平衡电容，其中，在接收到读取请求后，从至少一个RRAM中确定目标RRAM；控制目标RRAM对应的目标RRAM电导值读取电路的采样开关闭合第一预设时长后，断开采样开关，通过预充电节点放电第二预设时长后；利用目标RRAM电导值读取电路对应的模数转换器读取预充电节点的电压值，并根据其目标RRAM的当前电导态，以得到多比特读取结果。由此，解决了传统读取方式中预充电速度慢、读取周期较长等问题，实现单周期内读出多比特数据。

本发明授权RRAM多比特存储快速读取电路和方法在权利要求书中公布了：1.一种RRAM多比特存储快速读取电路，其特征在于，包括：至少一个RRAM电导值读取电路、与每个RRAM电导值读取电路对应设置至少一个RRAM和模数转换器，每个RRAM电导值读取电路包括预充电节点、采样开关、开关件和平衡电容，其中， 在接收到读取请求后，从所述至少一个RRAM中确定目标RRAM； 控制所述目标RRAM对应的目标RRAM电导值读取电路的采样开关闭合第一预设时长后，断开所述采样开关，通过所述预充电节点放电第二预设时长后； 利用所述目标RRAM电导值读取电路对应的模数转换器读取所述预充电节点的电压值，并根据所述预充电节点的电压值确定所述目标RRAM的当前电导态，以根据所述当前电导态得到多比特读取结果；所述平衡电容的一端通过所述预充电节点与所述采样开关的一端相连，所述平衡电容的另一端与接地节点相连，所述采样开关的另一端与预充电电压输出节点相连；所述开关件的第一端通过所述预充电节点分别与所述平衡电容的一端和所述采样开关的一端相连，所述开关件的第二端与对应的RRAM相连。

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