西安电子科技大学陆小力获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种Mg掺杂的氧化镓光导调制微波器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510165015.1，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权一种Mg掺杂的氧化镓光导调制微波器件及其制备方法是由陆小力;刘海生;王旭;王晔;朗锦涛;陈恒亮;马晓华设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Mg掺杂的氧化镓光导调制微波器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Mg掺杂且为空穴导电的单极性氧化镓光导调制微波器件，主要解决现有技术中器件耐压低、输出功率小、输出信号频率低的问题。其包括半绝缘衬底1，一对欧姆电极3，一对电极加厚层4和触发源6，该半绝缘衬底采用Mg掺杂氧化镓单晶衬底，且上部开有两个对称的凹槽2，该对欧姆电极和电极加厚层对自下而上位于每个凹槽的内部；该两个凹槽中间的区域设有通过在氧气氛围下经高温退火形成的高阻层5。本发明可在触发源照射下只激发空穴载流子参与导电，提高器件在高压下的工作时间，并通过高阻层能增大器件的暗态电阻和减小导通态电阻，提高器件的耐压，增加输出频率，可用于产生高频段且可调谐的微波输出信号。
本发明授权一种Mg掺杂的氧化镓光导调制微波器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Mg掺杂的氧化镓光导调制微波器件，包括半绝缘衬底1，一对欧姆电极3，一对电极加厚层4和触发源6，其特征在于： 所述半绝缘衬底1，采用Mg掺杂氧化镓单晶衬底，以在触发源6照射下只激发空穴载流子参与导电；该衬底的上部开有两个对称的凹槽2； 所述一对欧姆电极3和所述一对电极加厚层4自下而上位于每个凹槽2的内部； 所述两个凹槽2中间的区域设有高阻层5，以增大器件的暗态电阻和减小导通态电阻。
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