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龙图腾网获悉成都市元视芯智能科技有限公司;深圳市元视芯智能科技有限公司申请的专利一种图像传感用读出电路、读出系统及固态成像设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510452062.4，技术领域涉及：H04N25/78；该发明授权一种图像传感用读出电路、读出系统及固态成像设备是由罗凯;郑健华;王从华设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种图像传感用读出电路、读出系统及固态成像设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种读出电路、读出系统及固态成像设备，涉及图像传感器成像读取技术领域，包括：电流镜电路单元；负阻抗变换电路单元；充放电加速电路单元。本发明通过配置有负阻抗变换电路单元和充放电加速电路单元，一方面利用负阻抗变换电路单元能够利用其源极跟随器及其相关电路元件的连接方式，不需要使用运算放大器，也能够产生相应的负阻抗与VSL本身的寄生阻抗进行抵消，从而有效的加快小信号建立速度。即有效的实现解决现有技术中通过增大负载电流源电路偏置电流容易引起VSL动态范围受限，造成VSL降低到一定程度容易引起电路性能恶化的缺点。另一方面由充放电加速电路单元提供较大的瞬态电流，以实现加速大信号建立速度。

本发明授权一种图像传感用读出电路、读出系统及固态成像设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感用读出电路，所述图像传感用读出电路与像素驱动模块中像素阵列单元电性相连，其特征在于，包括： 电流镜电路单元，所述电流镜电路单元与像素驱动模块电性相连，所述电流镜电路用于提供偏置电流； 其中，所述电流镜电路单元包括：共源共栅电流镜； 负阻抗变换电路单元，所述负阻抗变换电路单元与所述电流镜电路单元电性连接，所述负阻抗变换电路单元用于产生负阻抗，与VSL本身寄生阻抗相抵消； 其中，所述负阻抗变换电路单元包括：源极跟随器； 充放电加速电路单元，所述充放电加速电路单元用于在VSL建立期间提供充放电电流； 具体的，所述负阻抗变换电路单元还包括： 第一电容，所述第一电容电性连接于所述像素阵列单元； 第三N沟道场效应晶体管，所述第三N沟道场效应晶体管栅极电性连接有偏置电压； 第四N沟道场效应晶体管，所述第四N沟道场效应晶体管栅极与像素阵列单元电性连接，所述第四N沟道场效应晶体管漏极连接有电源，所述第四N沟道场效应晶体管源极与所述第三N沟道场效应晶体管漏极电性相连； 其中，所述第一电容的一端与所述第四N沟道场效应晶体管源极电性连接，所述第一电容的另一端与所述电流镜电路单元电性连接。

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