西安电子科技大学毛维获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利场调制型肖特基二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510192163.2，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权场调制型肖特基二极管及其制作方法是由毛维;武静;杨翠;张占军;张进成;郝跃设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本场调制型肖特基二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种场调制型肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有肖特基二极管开启电压高、导通电流小和击穿电压低的问题，其自下而上包括：阴极7、衬底1、漂移层2、渐变接触层3，渐变接触层中间设置有2n‑1个不等间隔但大小相同的长方形隧穿孔8；隧穿孔内设有高K隧穿层4，其与渐变接触层3交错分布；高K隧穿层中间设有大小相同的P型槽9，P型槽内设有P型调制层5；该渐变接触层3、高K隧穿层4和P型调制层5上方均覆盖有阳极6，该高K隧穿层4和P型调制层5构成场调制结10。本发明降低了开启电压和关态泄漏电流，提高了导通电流和击穿电压，可作为电力电子系统的功率开关器件。
本发明授权场调制型肖特基二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种场调制型肖特基二极管，包括：衬底1、漂移层2、阳极6、阴极7，其特征在于： 所述漂移层2的上方设置有渐变接触层3，该渐变接触层3中间设置有2n-1个间隔不等、大小相同的长方形隧穿孔8，该隧穿孔8内设有高K隧穿层4，n是隧穿孔自边缘至中心处的个数； 所述渐变接触层3采用Al组分自下向上逐渐增大的AlGaN材料； 所述高K隧穿层4的中间设有大小相同的P型槽9，该P型槽9内设有P型调制层5，该P型调制层和高K隧穿层4构成场调制结10； 所述阳极6覆盖在所述渐变接触层3、高K隧穿层4和P型调制层5的上表面，其与渐变接触层3形成肖特基接触。
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