西安电子科技大学毛维获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利垂直氮化镓隧穿功率二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510192161.3，技术领域涉及：H10D8/75；该发明授权垂直氮化镓隧穿功率二极管及其制作方法是由毛维;武静;杨翠;张占军;张进成;郝跃设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直氮化镓隧穿功率二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直氮化镓隧穿功率二极管，主要解决传统垂直氮化镓结型势垒功率二极管无法同时实现开启电压低、导通电流大和击穿电压高的问题，其包括：衬底1、漂移层2、阳极8、阴极9，漂移层的左右两侧设有凹槽3，凹槽的上方依次设有渐变隧穿层4和调制层7；该渐变隧穿层的中间设置有2n‑1个等间隔且大小相同的长方形阵列孔5；该阵列孔内设置有隧穿增强层6，用于提高正向导通电流；该阳极位于调制层的上表面和隧穿增强层的上表面，其与渐变隧穿层形成肖特基接触，与调制层形成欧姆接触，以实现电气连接。本发明降低了开启电压和反向泄漏电流，提高了导通电流和击穿电压，可作为电力电子系统的功率开关器件。
本发明授权垂直氮化镓隧穿功率二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直氮化镓隧穿功率二极管，包括：衬底1、漂移层2、阳极8、阴极9，漂移层2的左右两侧设有凹槽3，其特征在于： 所述凹槽3的上方依次设有渐变隧穿层4和调制层7，该渐变隧穿层4的中间设置有2n-1个等间隔且大小相同的长方形阵列孔5，该阵列孔5内设置有隧穿增强层6，用于提高正向导通电流；其中n是阵列孔5自边缘至中心处的个数； 所述阳极8位于所述调制层7的上表面和隧穿增强层6的上表面，用于实现电气连接； 所述渐变隧穿层4采用Al组分自下向上逐渐增大的AlGaN材料； 所述隧穿增强层6采用Ta2O5、ZrO2、HfO2、TiO2中的任意一种介电常数大于AlGaN材料的高K介质材料； 所述调制层7采用P型NiO材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励