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电子科技大学尹俊辉获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种用于高曲率模型网格生成的自适应尺寸场构建方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120124290B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510203238.2,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种用于高曲率模型网格生成的自适应尺寸场构建方法是由尹俊辉;贺清;杨泽鑫;邓龙威;曹欣雨;朱世龙;高鸾凤;李星;胡权;胡玉禄;李斌设计研发完成,并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种用于高曲率模型网格生成的自适应尺寸场构建方法在说明书摘要公布了:本发明属于电磁数值模拟领域,具体为一种用于高曲率模型网格生成的自适应尺寸场构建方法。本发明通过对目标几何体模型进行几何处理,生成均匀采样点并构建初始背景网格;并在初始背景网格的基础上计算离散中轴点,获取邻近自适应尺寸,计算模型边曲率,获取曲线曲率自适应尺寸,将两者融合构建自适应尺寸场。并在此基础上通过生成高曲率区域的内部采样点,构建高曲率自适应尺寸的方式,融合进原有的自适应尺寸场;最终生成高质量的非结构化自适应网格。本发明提高了网格生成效率和仿真精度,为计算流体力学、计算电磁学在汽车制造、土木工程、环境工程、船舶工业以及航空工业等领域的高精度算法工程应用提供了基础。

本发明授权一种用于高曲率模型网格生成的自适应尺寸场构建方法在权利要求书中公布了:1.一种用于高曲率模型网格生成的自适应尺寸场构建方法,其特征在于,包含以下步骤: 步骤1、对目标几何体模型进行处理,获取模型表面的离散面集合;并获取每一个离散面自身的模型边的参数范围,通过参数范围和固定密度值将模型边进行均匀划分,生成均匀采样点点集; 步骤2、将步骤1获取的均匀采样点作为边界约束,对模型进行网格划分,生成初始背景网格覆盖整个模型; 步骤3、基于步骤2生成的初始背景网格的三角形元素,为每个均匀采样点计算离散中轴点;再通过均匀采样点到离散中轴点的距离计算出每个均匀采样点的邻近自适应尺寸,构建邻近自适应尺寸场; 步骤4、对于每个模型边上的均匀采样点计算其曲率及曲率自适应尺寸,构建曲线曲率自适应尺寸场; 步骤5、基于模型离散面的面积和曲率,对于平面、解析曲面和样条曲面的离散曲面在模型离散面内部生成内部采样点,并计算内部采样点的自适应尺寸,然后将内部采样点用于模型内部区域自适应尺寸场的构建; 其中,平面和解析曲面是具有确定性数学表达的简单曲面,直接通过其解析表达式准确计算面积和曲率; 对于样条曲面,其特征提取和采样点生成通过两个正交方向u和v上的两个B样条基函数的张量积计算,进而生成曲面内部的采样点,并计算相应的自适应尺寸,进而构建高曲率自适应尺寸场; 步骤6、在步骤2获得的均匀离散的初始背景网格点上,融合上述邻近自适应尺寸场,曲线曲率自适应尺寸场和高曲率自适应尺寸场,构建最终的自适应尺寸场。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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