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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种提高SRAM读写速度的电路实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120126524B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510244193.3，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权一种提高SRAM读写速度的电路实现方法是由徐国明;曹旭妍;高志莹;杨雨木;金睿;周扬;武薇薇设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高SRAM读写速度的电路实现方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提高SRAM读写速度的电路实现方法，属于电路设计技术领域，包括包括：SRAM储存单元，SRAM储存单元包括晶体管组件和反向器组件，晶体管组件包括晶体管一、晶体管二、晶体管三、晶体管四、晶体管五和晶体管六，反向器组件包括反相器一和反相器二；该发明有益效果：通过在架构与连接方式的改进设计，使同一行的存储单元在读写时被同时使能，同一列的存储单元共用数据传输线路，不仅简化了电路的控制逻辑，减少了信号传输路径上的冗余环节，还能有效提高数据传输的效率，加快整体读写速度，同时将读写操作划分为多个阶段，使得在一个时钟周期内可以同时进行不同存储单元的不同操作阶段，充分利用时间资源，提升读写速度。

本发明授权一种提高SRAM读写速度的电路实现方法在权利要求书中公布了：1.一种提高SRAM读写速度的电路实现方法，包括：SRAM储存单元，其特征在于，所述SRAM储存单元包括晶体管组件和反向器组件，所述晶体管组件包括晶体管一1、晶体管二2、晶体管三3、晶体管四6、晶体管五7和晶体管六8，所述反向器组件包括反相器一4和反相器二5，所述晶体管二2连接有RWL1，所述RWL1连接有RBL1，所述晶体管三3连接有BL、WWL和Q节点，所述晶体管四6连接有BLB和QB节点，所述晶体管五7连接有RWL2，所述RWL2连接有RBL2，所述SRAM储存单元设有若干个，若干个所述SRAM储存单元呈n行m列阵列分布，若干个所述SRAM储存单元中包含多个存储单元bitcell； 电路中，RWL1为第一读字线，RBL1为第一读取位线，BL为位线，WWL为写字线，BLB为反向位线，RWL2为第二读字线，RBL2为第二取位线； 具体步骤如下： S1：在SRAM输入时钟的高电平时间内，进行地址1的译码，从RWL11-RWL1n中选择一路打开，且选中的RWL1x在SRAM输入时钟从高切低的时刻拉高，此时，地址译码电路采用并行与分段相结合的译码方式，快速将地址信号转换为行选通信号； S2：在SRAM输入时钟的低电平时间内，对选中的bitcell进行读写操作，通过RBL11-RBL1m读取出对应的数据，同时，进行地址2的译码，从RWL21-RWL2n中选择一路打开，选中的RWL2x在SRAM输入时钟从低切高的时刻拉高； S3：在SRAM输入时钟再次切为高电平时间内，对当前选中的bitcell进行读写操作，通过RBL21-RBL2m读取出对应的数据，与此同时，进行地址3的译码，从RWL11-RWL1n中选择一路打开，选中的RWL1x在SRAM输入时钟从高切低的时刻拉高； S4：按照上述S1-S3流水线算法实现方式持续进行，直至最后一个地址读取完毕，完成整个SRAM的读写操作。

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