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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种氮化镓衬底上高功率氮化物半导体微波晶体管的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510180318.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种氮化镓衬底上高功率氮化物半导体微波晶体管的制作方法是由薛军帅;孙文博;吴冠霖;赵澄;张进成;郝跃设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓衬底上高功率氮化物半导体微波晶体管的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓衬底上高功率氮化物半导体微波晶体管的制作方法，主要解决现有器件在同质外延界面处存在寄生漏电沟道和击穿电压低的问题。方案包括：首先选取p型氮化镓单晶衬底，对其进行表面预处理得到含p型AlN漏电隔离层的p型氮化镓单晶衬底，再在预处理后的衬底上依次生长GaN沟道层、AlN插入层以及势垒层；最后在势垒层上制备绝缘栅介质层和栅电极，两侧制作源、漏电极，完成器件制作。本发明通过基于p型AlN漏电隔离层和离子注入对施主杂质的原位补偿，实现了同质外延界面处寄生漏电沟道与同质外延GaN异质结界面2DEG导电沟道的完全隔离，有效抑制器件横向漏电，并提升其耐压能力和输出功率。

本发明授权一种氮化镓衬底上高功率氮化物半导体微波晶体管的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓衬底上高功率氮化物半导体微波晶体管的制作方法，所述晶体管自下而上包括氮化镓单晶衬底、GaN沟道层、AlN插入层以及势垒层，其特征在于，对所述衬底进行表面预处理得到含p型AlN漏电隔离层的p型氮化镓单晶衬底；该方法的实现步骤包括如下： 1选取p型氮化镓单晶衬底，并对其进行预处理： 1.1在p型氮化镓单晶衬底上生长多晶GaN牺牲层； 1.2通过多晶GaN牺牲层向p型氮化镓单晶衬底中注入C、Fe、Mg中任意一种或几种离子； 1.3采用氢原子刻蚀技术去除多晶GaN牺牲层，得到表面具有不规则分布凹坑缺陷的p型氮化镓单晶衬底； 1.4在表面具有不规则分布凹坑缺陷的p型氮化镓单晶衬底上生长p型AlN漏电隔离层，平坦p型氮化镓单晶衬底表面； 1.5对生长有p型AlN漏电隔离层的p型氮化镓单晶衬底进行退火处理，实现p型AlN漏电隔离层的自组织成核，得到类图形化衬底，完成预处理工艺； 2在类图形化衬底，即表面预处理后含p型AlN漏电隔离层的p型氮化镓单晶衬底上依次生长GaN沟道层、AlN插入层、势垒层； 3刻蚀势垒层至沟道层，在其两侧分别形成源电极和漏电极； 4在势垒层上表面淀积绝缘栅介质层，并在该介质层上形成栅电极，完成器件制作。

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