中国科学院理化技术研究所谢政获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院理化技术研究所申请的专利一种二维红磷纳米片、其制备及包含其的三阶非线性光学调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120157093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311735335.3，技术领域涉及：C01B25/023；该发明授权一种二维红磷纳米片、其制备及包含其的三阶非线性光学调制器是由谢政;王晶京;李云飞;吴萃瑜;董学哲;刘福来;陈勇;张海龙;张晗设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维红磷纳米片、其制备及包含其的三阶非线性光学调制器在说明书摘要公布了：本发明公开一种二维红磷纳米片、其制备及包含其的三阶非线性光学调制器。所述制备方法包括以下步骤：将卤化磷溶解在低沸点溶剂中，加入左旋抗坏血酸，混合均匀后在20‑50℃下利用真空除去低沸点溶剂，得到前驱体；在惰性气氛下，对前驱体进行加热，以使前驱体在界面处发生热解反应，经冷却、洗涤、冻干后得到二维红磷粉末。采用该制备方法可以在较低温度下大量制备片层厚度较薄的二维红磷纳米片，操作简便、合成周期短。利用得到的二维红磷纳米片用来制备三阶非线性光学调制器，具有明显的溶剂依赖效应，可实现在饱和吸收与反饱和吸收间的调制。
本发明授权一种二维红磷纳米片、其制备及包含其的三阶非线性光学调制器在权利要求书中公布了：1.一种二维红磷纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将卤化磷溶解在低沸点溶剂中，加入左旋抗坏血酸，混合均匀后在20-50°C下利用真空除去低沸点溶剂，得到前驱体； 在惰性气氛下，对前驱体进行加热，以使前驱体在界面处发生热解反应，经冷却、洗涤、冻干后得到二维红磷粉末； 所述低沸点溶剂选自环己烷、正己烷、正庚烷和石油醚中的一种或多种； 所述卤化磷和左旋抗坏血酸的质量比为1:20-80； 所述加热的条件为加热温度为50-90℃，加热时间为10-60min。
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