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中国科学院大连化学物理研究所花磊获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种提高低压环境中光电离源检测灵敏度的装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120164781B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311726385.5,技术领域涉及:H01J49/16;该发明授权一种提高低压环境中光电离源检测灵敏度的装置是由花磊;樊志刚;李海洋;蒋吉春;阮慧文设计研发完成,并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

一种提高低压环境中光电离源检测灵敏度的装置在说明书摘要公布了:本发明涉及质谱分析仪器技术领域,具体地说是一种提高低压环境中光电离源检测灵敏度的装置,包括进样管、电离源腔体、真空紫外灯、推斥电极、气体补充毛细管、惰性气源、离子漏斗,气体补充毛细管的一端与惰性气源相连通,气体补充毛细管的另一端穿入至电离源腔体中、并延伸至推斥电极与离子漏斗之间处。本发明可实现在不增加进样量的情况下便可提高低压环境中光电离源检测灵敏度的作用,其中电离源腔体除了能够从低压环境进样之外,还使用气体补充毛细管引入高纯惰性气体,使电离源腔体内气压得以维持在离子漏斗可高效工作的气压范围内,实现了源内样品离子的高效传输,大大提高了仪器的检测灵敏度。

本发明授权一种提高低压环境中光电离源检测灵敏度的装置在权利要求书中公布了:1.一种提高低压环境中光电离源检测灵敏度的装置,其特征在于:包括进样管1、电离源腔体2、真空紫外灯3、推斥电极4、气体补充毛细管5、惰性气源7、离子漏斗8; 所述电离源腔体2上分别开设有真空抽气口9及离子输出口,所述真空抽气口9与外接真空泵连接; 所述真空紫外灯3、推斥电极4及离子漏斗8分别依次安装于所述电离源腔体2的内部,所述真空紫外灯3的光源发出端所发出的光线分别依次穿过所述推斥电极4及离子漏斗8,所述真空紫外灯3位于所述推斥电极4的远离所述离子输出口方向的一侧,所述离子漏斗8位于所述推斥电极4的靠近所述离子输出口方向的一侧; 所述进样管1的一端位于电离源腔体2外侧的具有样品的低压环境中,所述进样管1的另一端穿入至电离源腔体2中、并延伸至所述推斥电极4与所述离子漏斗8之间处,所述气体补充毛细管5的一端与所述惰性气源7相连通,所述气体补充毛细管5的另一端穿入至电离源腔体2中、并延伸至所述推斥电极4与所述离子漏斗8之间处; 所述推斥电极4上施加有直流电压,所述离子漏斗8上施加有直流电压和射频电压; 所述推斥电极4为中部开设有圆形通孔的环形平板状结构; 所述离子漏斗8分为若干层平行等间隔设置且均具有圆形通孔的环形极片,从靠近所述推斥电极4一侧至远离推斥电极4一侧的各环形极片的圆形通孔的孔径逐渐减小; 所述推斥电极4与离子漏斗8的各环形极片上施加的直流电压沿所述真空紫外灯3的光源发出端射出光线的方向依次降低并形成直流梯度电场; 所述离子漏斗8的任意相邻两个环形极片上的射频峰峰值及幅值相等、相位相反。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院大连化学物理研究所,其通讯地址为:116023 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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