苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311698686.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由程凯设计研发完成，并于2023-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底；位于衬底上的沟道结构，沟道结构包括依次形成于衬底上的沟道层和势垒层，沟道结构包括栅极区域，以及位于栅极区域两侧的源极区域与漏极区域；位于源极区域和漏极区域内的第一凹槽，第一凹槽至少贯穿势垒层；插入层，设置于势垒层内；位于源极区域及漏极区域端的插入层的侧壁，相对于势垒层的侧壁内缩预设距离以形成内陷沟槽，内陷沟槽与第一凹槽相通；重掺杂材料层，重掺杂材料层填充第一凹槽以及内陷沟槽。本发明提供的技术方案，降低了重掺杂材料层与沟道结构侧壁的接触电阻。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底10； 位于所述衬底10上的沟道结构302，所述沟道结构302包括依次形成于所述衬底10上的沟道层20和势垒层30，所述沟道结构302包括栅极区域Q1，以及位于所述栅极区域Q1两侧的源极区域Q2与漏极区域Q3； 位于所述源极区域Q2和所述漏极区域Q3内的第一凹槽70，所述第一凹槽70至少贯穿所述势垒层30； 插入层40，设置于所述势垒层30内；位于所述源极区域Q2及所述漏极区域Q3端的所述插入层40的侧壁，相对于所述势垒层30的侧壁内缩预设距离以形成内陷沟槽60，所述内陷沟槽60与所述第一凹槽70相通； 重掺杂材料层50，所述重掺杂材料层50填充所述第一凹槽70以及所述内陷沟槽60。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢(NW-20幢)517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励