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龙图腾网获悉温州大学激光与光电智能制造研究院申请的专利基于硅膜片和压阻的流量检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120176787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510260313.9，技术领域涉及：G01F1/56；该发明授权基于硅膜片和压阻的流量检测系统是由彭志辉;袁江锴;李峰平;周晨;周斯加;黄继宝;康蕊;王权设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅膜片和压阻的流量检测系统在说明书摘要公布了：本发明涉及流量检测技术领域，具体地说，涉及基于硅膜片和压阻的流量检测系统。其包括波动变化单元、线性系数单元、计算补偿单元和流量形变单元。本发明线性系数单元根据补偿后的电阻变化计算压阻传感器灵敏度，判断压阻传感器的响应速度性能快慢，当压阻传感器的响应速度性能快，根据硅膜片的电阻值计算电阻平均值，根据电阻平均值计算电阻残差平方，再根据预测值计算电阻总平方，利用电阻残差平方和电阻总平方计算电阻线性系数，通过根据补偿后的数据进行计算，可以有效减少温度波动带来的误差，进一步提高测量的准确性，同时压阻传感器的响应速度性能快的情况下计算电阻线性系数，可以精确量化电阻的线性度，从而提高测量的精度。

本发明授权基于硅膜片和压阻的流量检测系统在权利要求书中公布了：1.基于硅膜片和压阻的流量检测系统，其特征在于：包括波动变化单元1、线性系数单元2、计算补偿单元3和流量形变单元4； 所述波动变化单元1通过温度传感器、压力传感器和压阻传感器测量硅膜片温度、压力数据和硅膜片的电阻值，根据温度数据计算平均温度，再判断硅膜片是否存在温度波动，当硅膜片存在温度波动时，则硅膜片的温度波动影响硅膜片的电阻值，根据测量的电阻数据计算平均初始电阻值并分析电阻变化量，利用温度数据和分析的电阻变化量进行电阻变化的补偿计算； 所述线性系数单元2用于接收波动变化单元1中补偿后的电阻变化和硅膜片的电阻值，根据补偿后的电阻变化计算压阻传感器灵敏度，判断压阻传感器的响应速度性能快慢，当压阻传感器的响应速度性能快时，根据硅膜片的电阻值计算电阻平均值并计算电阻残差平方，利用线性度算法根据电阻残差平方计算电阻线性系数，判断电阻线性系数的高低，当计算的电阻线性系数接近1时，则说明压阻传感器的测量误差小； 所述计算补偿单元3用于接收线性系数单元2中压阻传感器的测量误差小的命令，通过测量流体，记录流体速度计算硅膜片上曳力，再根据硅膜片上的曳力进行曳力平均值的计算，根据计算的曳力平均值和硅膜片上的曳力计算曳力标准差相对误差，利用曳力标准差和曳力的相对误差判断硅膜片上的曳力是否存在误差，当硅膜片上的曳力存在误差时，根据计算的曳力平均值计算曳力误差补偿系数并计算曳力的补偿，利用补偿后的曳力计算补偿后曳力的平均值，将补偿后的曳力平均值作为最终的曳力； 所述流量形变单元4用于接收计算补偿单元3中最终的曳力检测流体流量，根据最终的曳力计算硅膜片中心形变量，再利用计算的硅膜片中心形变量判断硅膜片是否发生形变，当硅膜片发生形变时，根据检测的流体流量进行调节。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人温州大学激光与光电智能制造研究院，其通讯地址为：325000 浙江省温州市海洋科技创业园C1幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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