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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利Ag+/Sm3+掺杂的含有PN结的钙钛矿单晶、忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120311292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510486186.4，技术领域涉及：C30B7/14；该发明授权Ag+/Sm3+掺杂的含有PN结的钙钛矿单晶、忆阻器及其制备方法是由王燕;陈旺;刘明鑫;贾浅;吕子玉;张祥;吴春艳设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本Ag+/Sm3+掺杂的含有PN结的钙钛矿单晶、忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Ag+Sm3+掺杂的含有PN结的钙钛矿单晶、忆阻器及其制备方法。Ag+Sm3+掺杂的含有PN结的钙钛矿单晶的制备方法，包括以下步骤：将MAX、PbX2、AgX溶解在溶剂中，搅拌处理，然后加热结晶处理，生长得到Ag+掺杂的P型MAPbX3单晶；将MAX、PbX2、SmX3溶解在溶剂中，搅拌处理，然后浸入Ag+掺杂P型MAPbX3单晶，再加热结晶处理，使得Ag+掺杂的P型MAPbX3单晶表面外延生长出Sm3+掺杂的N型MAPbX3单晶，即得所述Ag+Sm3+掺杂的含有PN结的钙钛矿单晶。本发明利用溶液法原位生长技术，在钙钛矿单晶内部精确构建PN结，从而实现器件的自整流效应和忆阻功能，为高性能、高密度忆阻器件的开发提供了新的技术途径。

本发明授权Ag+/Sm3+掺杂的含有PN结的钙钛矿单晶、忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Ag+Sm3+掺杂的含有PN结的钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1Ag+掺杂的P型MAPbX3单晶的生长 将MAX、PbX2、AgX溶解在溶剂中，搅拌处理，然后加热结晶处理，生长得到Ag+掺杂的P型MAPbX3单晶； 步骤1中，溶剂为DMF，MAX、PbX2和AgX的摩尔比为1：1：0.1； 步骤1中，加热结晶处理的具体过程为：先90℃下加热20min，然后30～60min内梯度升温至100～120℃生长出单个子晶，最后90℃下恒温结晶3～5h； 2Sm3+掺杂的N型MAPbX3单晶的生长 将MAX、PbX2、SmX3溶解在溶剂中，搅拌处理，然后浸入Ag+掺杂P型MAPbX3单晶，再加热结晶处理，使得Ag+掺杂的P型MAPbX3单晶表面外延生长出Sm3+掺杂的N型MAPbX3单晶，即得所述Ag+Sm3+掺杂的含有PN结的钙钛矿单晶； 步骤2中，溶剂为DMF，MAX、PbX2和SmX3的摩尔比为1：1：0.1； 步骤2中，加热结晶处理的具体过程为：90℃下恒温结晶3～6h； 上述所有X均代表卤素原子。

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